天津大学《半导体物理学》课件-第3章 半导体中载流子的统计分析.pdfVIP

半导体物理

ThePhysicsofSemiconductors

主讲人：聂凯明

天津大学-微电子学院

nkaiming@tju.edu.cn

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第三章半导体中载流子的统计分布

本章重点

◼状态密度

◼费米能级和载流子的统计分布

◼本征半导体的载流子浓度

◼杂质半导体的载流子浓度

◼一般情况下的载流子统计分布

◼简并半导体

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引言-热平衡状态

◼在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动

态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。

◼半导体的热平衡状态(thermalequilibrium)受温度影响，

某一特定温度对应某一特定的热平衡状态，半导体导带电

子浓度和价带空穴浓度都保持恒定的值，这时的电子或空

穴的浓度称为热平衡载流子浓度。

◼半导体的导电性受温度影响剧烈。

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如何计算热平衡载流子浓度以及它

随温度变化的规律？

◼允许的量子态按能量如何分布。

◼电子在允许的量子态中如何分布。

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3.1状态密度

◼半导体的导带和价带中，有很多间隔很小（约为10-22eV）的

准连续能级，假定在能带中能量E~（E+dE）之间无限小的能

量间隔内有dZ个量子态，则状态密度g(E)为：

dZ

g(E)

dE

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◼状态密度计算步骤：

根据k空间中的量子态计算出k空间中与能量

数，计算出k空间中的E~（E+dE）间所对应

量子状态密度的K空间体积

通过k空间的体积和量

根据状态密度定义得到子状态密度相乘，得到

g(E)E~（E+dE）之间的量

子态数dZ

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K空间中量子态密度

◼对于边长为L的立方晶体，k允许的值为：

k=n/L(n=0,±1,±2,…)

xxx

k=n/L(n=0,±1,±2,…)

yyy

k=n/L(n=0,±1,±2,…)

zz