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掺铒富硅二氧化硅电致发光器件光电性能的多维度剖析与优化策略
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,对高速、大容量、低功耗的光通信和光计算系统的需求日益迫切。硅基光电集成技术作为实现这一目标的关键途径,受到了广泛的关注。硅材料因其在微电子领域的成熟工艺、高集成度和低成本等优势,成为光电集成的理想基础材料。然而,硅是间接带隙半导体,其发光效率极低,这严重制约了硅基光电集成技术的发展。因此,寻找一种有效的方法来实现硅基材料的高效发光,成为了该领域的研究热点。
掺铒富硅二氧化硅(Er-richsilicon-richsilica,简称Er-SRSO)材料由于其独特
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