2026届高三物理二轮复习课件+高考压轴题解题策略探讨.pptxVIP

;【例1】如图,半径为R的圆内有垂直xOy平面向外的匀强磁场,其左侧x轴上方的离子源沿x轴正方向射出宽为2R,沿y轴方向均匀分布的离子流。离子在圆形磁场内偏转后都汇聚到圆形磁场的最低点O。再进入x轴下方的区域足够大的匀强磁场,其磁感应强度大小与上方磁场相同,方向垂直纸面向里。在x=1.6R处放置一个上端与x轴相齐,下端足够长的感光板用于探测和收集离子.感光板有且仅有一个区域,该区域中的同一位置会先后接收到两个离子,这一区域称为二次发光区。

;【例1】如图,的圆内有垂直xOy平面向外的匀强磁场,其左侧x轴上方的离子源沿x轴正方向射出,。离子在圆形磁场内。再进入x轴下方的区域足够大的匀强磁场,其磁感应强度,方向垂直纸面向里。在x=1.6R处放置一个上端与x轴相齐,下端足够长的感光板用于探测和收集离子.感光板有且仅有一个区域,该区域中的,这一区域。

(1)试求二次发光区的长度;

(2)到达二次发光区的离子占发射总离子数的比例是多少?

;【专题】高考压轴题解题策略探讨;【浙江2020.1.22】通过测量质子在磁场中的运动轨迹和打到探测板上的计数率(即打到探测板上质子数与衰变产生总质子数N的比值),可研究中子()的β衰变。中子衰变后转化成质子和电子,同时放出质量可视为零的反中微子。如图所示,位于P点的静止中子经衰变可形成一个质子源,该质子源在纸面内各向均匀地发射N个质子。在P点下方放置有长度L=1.2m以O为中点的探测板,P点离探测板的垂直距离OP为a。在探测板的上方存在方向垂直纸面向里,磁感应强度大小为B的匀强磁场

已知电子质量me=9.1×10-31kg=0.51MeV/c2,中子质量mn=939.57MeV/c2,质子质量mp=938.27MeV/c2,(c为光速,不考虑粒子之间的相互作).

若质子的动量p=4.8×10-21kg.m.s-1=3×10-8MeV·s·m-1,

(1)写出中子衰变的核反应式,求电子和反中微子的总动能(以MeV为能量单位);

(2)当a=0.15m,B=0.1T时,求计数率;

(3)若a取不同的值,可通过调节B的大小获得

与(2)问中同样的计数率,求B与a的关系

并给出B的取??范围;?;?;?;解题“三部曲”：;【十二月月考19题】如图所示，在倾角θ=370的固定斜面上放置一质量M=1kg、长度L=3m的薄平板AB.平板的上表面光滑，其下端B与斜面底端C的距离为7m．在平板的上端A处放一质量m=0.6kg的滑块，开始时使平板和滑块都静止，之后将它们无初速释放．设平板与斜面间、滑块与斜面间的动摩擦因数均为μ=0.5，求滑块与平板下端B到达斜面底端C的时间差Δt．*（sin370=0.6，cos370=0.8，g=10m/s2）;【十二月月考19题】如图所示，在倾角θ=370的固定斜面上放置一质量M=1kg、长度L=3m的薄平板AB.平板的上表面光滑，其下端B与斜面底端C的距离为7m．在平板的上端A处放一质量m=0.6kg的滑块，开始时使平板和滑块都静止，之后将它们无初速释放．设平板与斜面间、滑块与斜面间的动摩擦因数均为μ=0.5，求滑块与平板下端B到达斜面底端C的时间差Δt．*（sin370=0.6，cos370=0.8，g=10m/s2）;【十二月月考19题】

求:滑块与平板下端B到达斜面底端C的时间差Δt;【专题】高考压轴题解题策略探讨;;【专题】高考压轴题解题策略探讨;;;;;【专题】高考压轴题解题策略探讨;;;;【专题】高考压轴题解题策略探讨;7.如图,半径为R的圆内有垂直xOy平面向外的匀强磁场,其左侧x轴上方的离子源沿x轴正方向射出宽为2R,沿y轴方向均匀分布的离子流。离子在圆形磁场内偏转后都汇聚到圆形磁场的最低点O。再进入x轴下方的区域足够大的匀强磁场,其磁感应强度大小与上方磁场相同,方向垂直纸面向里。在x=1.6R处放置一个上端与x轴相齐,下端足够长的感光板用于探测和收集离子。感光板有且仅有一个区域,该区域中的同一位置会先后接收到两个离子,这一区域称为二次发光区。

(1)试求二次发光区的长度;

(2)到达二次发光区的离子占发射总离子数的比例是多少?

;7.如图,半