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氮化镓纳米线阵列材料：生长设计、光-电性能及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的物理特性，逐渐崭露头角，成为了研究的焦点。氮化镓是一种直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度高达3.4eV，拥有高电子迁移率、高热导率以及良好的化学稳定性等诸多优势，在高温、高压、高频等极端条件下仍能保持出色的性能。这些优异的特性，使得氮化镓在半导体领域展现出了巨大的应用潜力。

氮化镓纳米线阵列材料作为氮化镓材料的一种特殊形态，具有独特的一维纳米结构。这种结构不仅赋予了材料量子限域效应、高比表面积等特性，还使得氮化镓纳米线阵列在光电器件领域展现出了非凡的应