CuInS₂和CuIn₁₋ₓGaₓS₂光电材料：制备工艺与能带结构的深度剖析.docxVIP

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2025-10-19 发布于上海
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CuInS₂和CuIn₁₋ₓGaₓS₂光电材料：制备工艺与能带结构的深度剖析.docx

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CuInS?和CuIn???Ga?S?光电材料：制备工艺与能带结构的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着全球能源需求的持续增长以及传统化石能源的日益枯竭，寻找清洁、可持续的能源替代方案已成为当今世界面临的紧迫任务。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源，在缓解能源危机和应对气候变化方面展现出巨大的潜力。太阳能电池作为将太阳能直接转换为电能的关键器件，其发展对于实现能源转型和可持续发展目标具有至关重要的意义。

在众多太阳能电池材料中，CuInS?和CuIn???Ga?S?以其独特的物理性质和优异的光电性能脱颖而出，成为了研究的热点。CuInS?是一种典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ?族黄铜矿