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开关电源的空间辐照损伤机理及抗辐照技术进展.pdf

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    开关电源的空间辐照损伤机理及抗辐照技术进展

    能力很关键。

    先看辐照损伤机理。电离辐射总剂量效应是高能粒子（比如γ射线、X

    Si-SiO

    态电荷，这会改变MOSFET

    PWM控制器、MOSFET100krad

    （Si

    位-

    变其磁导率和矫顽力，让电感的储能效率下降，影响电源的转换效率。

    用下形成瞬态电流。如果打在逻辑电路节

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