拓扑绝缘体Bi₂Se₃异质结的制备工艺与电极接触性能优化研究.docx

拓扑绝缘体Bi?Se?异质结的制备工艺与电极接触性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

拓扑绝缘体作为一种新型量子材料，在凝聚态物理领域引起了广泛关注。这类材料的体相表现为绝缘态，而表面或边缘却存在着受拓扑保护的金属态，其独特的电子结构和物理性质，使其在自旋电子学、量子计算、量子通信等领域展现出巨大的应用潜力。自拓扑绝缘体被发现以来，众多科研人员致力于探索其内在物理机制以及拓展其应用范围。

硒化铋（Bi?Se?）是一种典型的三维拓扑绝缘体，具有较大的体能隙（约0.3eV）和良好的环境稳定性，在室温下就能观察到明显的拓扑表面态，这使得Bi?Se?成为研究拓扑绝缘体物理性质和应用的