纳米SONOS存储器中低K介质材料特性及其对局域存储性能的影响探究.docxVIP

纳米SONOS存储器中低K介质材料特性及其对局域存储性能的影响探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对存储器的性能要求日益提高。纳米SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）存储器作为一种新型的非易失性存储器，凭借其单元尺寸小、存储保持性好、操作电压低以及与CMOS工艺兼容等显著特点，在众多存储技术中脱颖而出，成为了研究的热点。SONOS存储器的基本结构包含存储管和选择管，存储管采用硅衬底-隧穿氧化层-氮化硅-阻挡氧化层-多晶硅（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）的栅堆层结构，是一种电荷陷阱型存储器，通过在氮化硅层中捕获和释放电荷来实现数据的存储；选择管则采用硅衬底-栅氧-多晶硅的基本NMOS结构，用于控制存储管的导通和关闭。

在纳米尺度下，SONOS存储器面临着诸多挑战。其中，存储性能的优化成为了关键问题，而低K介质材料的应用被认为是提升其性能的重要途径之一。低K介质材料具有较低的介电常数，能够有效降低寄生电容，减少信号传输延迟和功耗，提高存储器的运行速度和可靠性。随着半导体工艺向更小尺寸的不断推进，如从28nm到14nm甚至更小，互连延迟问题变得愈发严重，传统的二氧化硅等介质材料已难以满足高性能存储器的需求，低K介质材料的研究和应用显得尤为迫切。

研究低K介质材料及局域存储性能对于纳米SONOS存储器具有重要的意义。从性能提升角度来看，低K介质材料能够降低存储单元之间的电容耦合，减少串扰，提高存储单元的稳定性和数据保持能力，从而提升存储器的整体性能。从技术发展角度而言，对低K介质材料的深入研究有助于推动纳米SONOS存储器技术的创新和进步，为实现更高密度、更低功耗、更快读写速度的存储器提供技术支持。在实际应用方面，随着物联网、人工智能、大数据等新兴技术的快速发展，对存储设备的性能和容量提出了更高的要求，纳米SONOS存储器结合低K介质材料有望在这些领域得到广泛应用，满足数据存储和处理的需求。

1.2国内外研究现状

在纳米SONOS存储器方面，国内外学者进行了大量的研究。国外如英特尔、美光等公司在SONOS存储器的研发上处于领先地位，他们不断探索新的结构和工艺，以提高存储器的性能和可靠性。在存储管和选择管的结构优化方面，通过改进栅极结构和材料，减小了器件尺寸，提高了存储密度；在工艺方面，采用先进的光刻技术和刻蚀工艺，实现了更高精度的器件制造。国内的一些科研机构和企业，如上海华力、华虹宏力等也在积极开展相关研究，并取得了一定的成果。上海华力申请的“SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀工艺方法”专利，通过自对准刻蚀工艺解决了传统存储管与选择管之间存在的大间隔问题，提升了器件的性能和稳定性；华虹宏力提交的“一种嵌入式SONOS存储器的制造方法”专利，有效降低了光罩的使用需求，提高了制造效率。

对于低K介质材料，国内外的研究也取得了丰富的成果。国外在新型低K材料的研发和应用方面走在前列，如对多孔超低K介质材料的研究，通过优化材料的孔隙结构和成分，实现了更低的介电常数和更好的综合性能。国内在低K介质材料的研究上也取得了显著进展，上海科技大学的研究人员使用化学气相法合成出了由六氧化四锑（Sb4O6）类金刚烷笼状分子自组装而成的二维α相三氧化二锑（α-Sb2O3）纳米片，发现该材料具有异常低的k值，仅在2.0-2.5之间，且具有约5.6eV超大光学带隙、高达550℃的高温热稳定性以及高达1.4-2.5MV/cm的优异电击穿强度，展现出作为优质低K介电材料的潜力。

然而，现有研究仍存在一些不足。在纳米SONOS存储器与低K介质材料的集成方面，两者之间的兼容性问题尚未得到完全解决，可能导致器件性能的下降。对于低K介质材料在纳米尺度下的长期稳定性和可靠性研究还不够深入，其在复杂环境下的性能变化情况有待进一步探索。在低K介质材料的制备工艺方面，还需要进一步优化，以提高材料的质量和一致性，降低生产成本。

1.3研究内容与方法

本研究旨在深入探究纳米SONOS存储器后段低K介质材料及局域存储性能，具体研究内容包括：对不同类型的低K介质材料进行筛选和性能分析，研究其介电常数、击穿电场、热稳定性等关键性能指标，对比分析不同材料的优缺点，为后续的研究提供材料选择依据；研究低K介质材料与纳米SONOS存储器的集成工艺，优化集成过程中的参数，如沉积温度、压力、时间等，提高两者之间的兼容性，降低界面缺陷，减少对存储性能的影响；通过实验和模拟相结合的方法，深入分析