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MOS管应用中，常见的各种‘击穿’现象

mos管也称场效应管，这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。MOSFET是一种场效应晶体管(利用电场控制电流)，由金属氧化物半导体制成，是目前使用最广泛的生产技术。在功率MOSFET领域，碳化硅(SiC)也被使用，因为它是电源、逆变器和其他应用所需的更高性能和效率的理想选择。东芝多年来一直致力于MOSFET的开发和生产，我们广泛的低中高耐压设备产品线具有低损耗、高速度、低导通电阻和小封装等特点—适合各种应用的MOSFET。他们之间的绝缘氧化层称为gatedielectric(栅介质)。器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORKFUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

在MOS管的运用中，我们常会遇到各种‘击穿’现象，这些对器件的性能及寿命有着至关重要的影响。首先，热击穿是由于器件过热导致的损坏，通常与散热设计不当或长时间超负荷工作有关。其次，雪崩击穿发生在电压超过器件承受极限时，电流急剧增加，导致器件瞬间失效。再者，齐纳击穿则是一种在特定电压下，电流急剧增大而导致的击穿现象，它通常与器件的掺杂浓度和结构设计有关。了解并掌握这些击穿机制，对于优化MOS管的应用、提升设备稳定性及延长使用寿命具有重要意义。因此，作为采购经理，选择具有优良击穿特性的MOS管，是确保设备可靠运行的关键。

当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATEDIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。mos管在电路中一般用作电子开关，在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G(里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿)。

1、MOSFET的击穿有哪几种?

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通(punchthrough)。那如何防止穿通呢?这就要回到二极管反偏特性了，耗尽区宽度除了与电压有关，还与两边的掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延展，所以flow里面有个防穿通注入(APT：AnTIPunchThrough)，记住它要打和well同type的specis。当然实际遇到WAT的BV跑了而且确定是从Source端走了，可能还要看是否PolyCD或者Spacer宽度，或者LDD_IMP问题了。那如何排除呢?这就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLYCD可以通过Poly相关的WAT来验证。

MOS管被击穿的几种情况，1.过电压击穿：当MOS管的栅极电压超过其额定值时，可能导致栅极与源极或漏极之间的绝缘层被击穿。这种击穿通常是由于电路设计不当、电源电压波动或瞬态过电压引起的。

2.过电流击穿：过大的电流流过MOS管时，会使其内部的结温迅速升高，当结温超过材料的承受能力时，便会导致击穿。过电流击穿通常与负载短路、电路设计不当或MOS管选型不合适有关。

3.静电击穿：静电放电(ESD)是MOS管在运输、存储和使用过程中可