ZnO压敏陶瓷低温烧结技术与电性能优化的深度探究.docxVIP

ZnO压敏陶瓷低温烧结技术与电性能优化的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力和电子领域，随着电子设备的广泛应用以及电力系统的不断发展，对过电压保护和浪涌抑制技术的需求日益增长。ZnO压敏陶瓷作为一种重要的功能材料，因其独特的非线性电压-电流特性以及强大的浪涌吸收能力，自1968年日本松下电器公司首次研发成功以来，在电子设备和电力系统过电压保护领域得到了极为广泛的应用，特别是作为氧化物避雷器（MOA）的核心部件，已逐步替代传统的碳化硅（SiC）避雷器，展现出在高压保护中的优越性能。

ZnO压敏陶瓷具备较宽的禁带宽度（3.37eV）、高的非线性系数、高通流容量、优异的能量吸收能力以及低成本等特性，这些优异性能使其在电力传输线路和电子电路的过电压保护中发挥着不可或缺的作用，应用范围涵盖家用电器、电子线路、通信设备、交通运输以及工业自动化等众多领域。例如，在家用电器中，它可用于制造过压保护器件，确保电器在异常电压环境下的安全运行；在电子线路中，作为浪涌保护器以及过压保护元件，有效保护电路免受瞬间过电压的损害。

然而，传统的ZnO压敏陶瓷烧结工艺通常需要较高的温度，这不仅导致能源消耗大，增加生产成本，还可能引发一系列问题，如晶粒异常生长，使得陶瓷内部微观结构不均匀，进而影响其电性能的稳定性；高温下晶界处富铋相挥发，破坏晶界结构，降低材料的非线性特性和通流能力等。此外，随着电子技术向小型化、集成化方向发展，对ZnO压敏陶瓷的性能提出了更高要求，如更低的烧结温度以适应与低熔点金属电极的共烧工艺，从而实现片式化、多层化等新型器件结构，进一步拓展其应用领域。

因此，开展ZnO压敏陶瓷的低温烧结研究具有至关重要的现实意义。一方面，低温烧结能够显著降低能源消耗，减少生产成本，符合可持续发展的理念；另一方面，通过优化低温烧结工艺，可以有效抑制晶粒异常长大，改善陶瓷的微观结构，提高其电性能的稳定性和一致性，为制备高性能的ZnO压敏陶瓷提供技术支持，满足电力、电子等领域不断增长的需求，推动相关产业的技术进步和发展。

1.2国内外研究现状

国内外众多学者围绕ZnO压敏陶瓷的低温烧结及电性能展开了大量研究。在低温烧结技术方面，研究主要集中在添加烧结助剂和改进烧结工艺两个方向。

在烧结助剂研究上，诸多研究表明，添加特定的烧结助剂能有效降低ZnO压敏陶瓷的烧结温度。如掺杂BST（Bi?O?：SiO?：TiO?摩尔比为6：4：3），可使ZnO压敏陶瓷在875℃的较低温度下烧结，且该掺杂会导致晶粒细化，显著提高样品的致密度及压敏性能。当BST掺量摩尔分数为0.25％时，样品的综合性能达到最佳，体积密度为5.63g/cm3，相对密度为97.4％，非线性系数最大为38.9，电压梯度为最小值300.2V/mm，漏电流密度为最小值0.028μA/cm2。此外，研究Bi?O?与Sb?O?预合成对高性能ZnO-Bi?O?基压敏陶瓷的影响时发现，合适的预合成比例和掺量能优化陶瓷的显微结构与电性能，促进低温烧结。

在改进烧结工艺方面，创新的烧结方法不断涌现。重庆大学赵学童老师团队等提出的冷烧结/放电等离子烧结（CSP-SPS）与退火相结合的方法颇具创新性。该方法先利用CSP-SPS技术在300°C的低温下使陶瓷坯体致密化，再将低温致密化的陶瓷在700-900°C之间进行退火处理。通过这种新工艺，有效促进了陶瓷内部晶粒晶界结构的均匀性，极大地抑制了晶界处富铋相的挥发，最终制备出性能优良的ZnO基压敏陶瓷，其电压梯度可达1832.71V/mm，非线性系数为106.69，泄漏电流密度低于0.2μA/cm2，为高性能ZnO压敏陶瓷的制备开辟了新途径。

在电性能研究方面，研究人员主要致力于通过调控陶瓷的微观结构和化学成分来优化其电性能。通过控制ZnO压敏陶瓷的晶粒尺寸和均匀性，调控晶界密度和分布，可有效改善其非线性伏安特性。减小晶粒尺寸能够增加晶界密度，进而提高其非线性伏安特性。掺杂Al、Ga等元素，可以减少ZnO压敏陶瓷中的氧空位，提高其击穿电压和降低泄漏电流。

尽管国内外在ZnO压敏陶瓷的低温烧结及电性能研究上已取得丰硕成果，但仍存在一些不足与空白。一方面，对于烧结助剂的作用机理研究还不够深入全面，不同烧结助剂之间的协同作用以及它们对陶瓷微观结构和电性能的综合影响尚需进一步探索。另一方面，现有的低温烧结工艺在大规模工业化生产中的稳定性和可靠性有待进一步验证和提高，且新型烧结工艺的设备成本较高，限制了其广泛应用。此外，对于在复杂工况和极端环境下ZnO压敏陶瓷的电性能演变规律及失效机制研究还相对较少，难以满足实际应用中对其长