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宽禁带半导体SiC与ZnO外延生长及掺杂改性研究：从材料制备到性能调控

一、引言

宽禁带半导体（WBG）凭借其优异的电学、光学及热稳定性，成为推动第三代半导体器件革新的核心材料。碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）作为WBG家族的典型代表，在高压功率器件、紫外光电子器件、高温传感器等领域展现出巨大应用潜力。外延生长技术是实现其器件化的关键前提，而掺杂调控则是优化材料电学、光学及磁学性能的核心手段。本文聚焦两者的外延生长工艺创新与掺杂机制解析，为高性能宽禁带半导体材料的设计提供理论与技术参考。

二、SiC外延生长技术与掺杂机制研究

（一）SiC外延生长技术的前沿探索

1.化学气相沉积（CVD）技术的优化与创新

在SiC外延生长领域，化学气相沉积（CVD）技术占据主导地位，其工艺的优化对于提升SiC材料质量至关重要。基于台阶控制外延法（Step-ControlEpitaxy），研究人员通过精确调控衬底偏角与反应气体配比，成功实现了4H-SiC单晶层的高纯度生长。例如，选用具有4°偏角的(0001)面作为衬底，在此基础上，精细调整反应气体SiH?与C?H?的配比，能够有效引导原子在衬底表面按照特定的台阶结构进行有序排列，从而生长出与衬底晶体多型一致的外延层。这种精确控制避免了异种多型混入外延层，保证了外延层的高质量和一致性，满足了高端器件对材料纯度的严格要求。

热壁型反应器的设计是CVD技术的另一关键创新点。在高温的外延生长过程中（通常为1500-1600℃），热壁型反应器能够有效提升气体输运效率。其原理在于，热壁能够使反应器内部保持相对均匀的高温环境，减少了因温度梯度导致的气体分布不均问题，确保反应气体能够稳定、高效地输送到衬底表面，为外延生长提供充足的原料。配合多晶片自转公转技术，该反应器在大面积外延生长中展现出卓越的性能，成功解决了外延层厚度均匀性难题。通过精确控制多晶片的自转与公转速度和路径，使得每个晶片在生长过程中都能均匀地接受反应气体的供应，实现了外延层厚度均匀性控制在±5%以内，为大规模制备高质量SiC外延片奠定了坚实基础。

新型缓冲层技术的引入进一步提升了SiC外延层的质量。在SiC外延生长中，衬底中的基面位错（BPD）会严重影响器件性能。新型缓冲层技术通过在漂移层和衬底之间插入特定的缓冲层，巧妙地将BPD转换为无电学影响的贯穿刃位错（TED）。研究表明，经过这种技术处理后，缺陷密度可降低60%以上。缓冲层通常进行高浓度的n型掺杂，这不仅有助于促进少数载流子的复合，还承担着位错转换的关键作用，极大地改善了SiC外延材料的电学性能和稳定性，为制备高性能SiC功率器件提供了有力支持。

2.快速生长与多片量产技术突破

随着市场对SiC功率器件需求的不断增长，提高SiC外延生长速率和实现多片量产成为研究的重点方向。通过优化热场分布与气流动力学模型，研究人员在快速生长技术方面取得了显著突破。例如，对石墨加热体结构进行优化设计，使其能够产生更加均匀、稳定的热场，避免了因局部温度差异导致的生长速率不均问题。结合先进的气流动力学模型，精确调控反应气体在反应器内的流动路径和速度，实现了生长速率提升至10μm/h以上，同时保持了晶型纯度（4H相占比＞99.9%）。这种高速生长且高纯度的工艺，大大缩短了生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本，为SiC功率器件的大规模应用提供了技术保障。

多片式反应室设计是实现SiC外延片批量化生产的关键技术。该设计能够同时容纳多个8英寸衬底进行外延生长，显著提高了产量。在多片式反应室中，通过精细调控掺杂气体的分布和流量，实现了掺杂浓度均匀性控制在±3%。这种高精度的掺杂控制确保了每片外延片的电学性能一致性，为功率器件的规模化制备奠定了基础。多片式反应室还在设备维护和生产效率方面具有显著优势，减少了设备的启停次数和维护成本，提高了生产的连续性和稳定性，推动了SiC外延生长技术向工业化、规模化方向发展。

（二）SiC掺杂改性的功能化调控

1.非磁性掺杂诱导自旋长程有序

在SiC掺杂研究中，非磁性掺杂诱导自旋长程有序是一个具有重要学术意义的研究方向。中国科学院物理研究所陈小龙研究组采用非磁性Al元素对SiC进行掺杂，取得了创新性成果。当Al元素以0.75at%的比例掺入SiC晶格中时，打破了SiC原本的电子结构对称性。Al原子最外层为3个电子，比Si原子最外层少1个电子，这种差异导致Al原子替代Si位后引入了未成对电子，从而形成局域自旋磁矩。

磁学测试结果显示，掺杂样品呈现出玻璃态铁磁性，其居里温度＞300K，这意味着在室温及以上温度条件下，