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MOCVD外延生长高质量ZnO薄膜及其原位掺杂技术研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电器件在现代生活中的应用日益广泛，从日常使用的智能手机屏幕、LED照明设备，到高端的太阳能电池、激光器等，都离不开光电器件的支持。在众多光电器件中，氧化锌（ZnO）薄膜因其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了材料科学领域的研究热点之一。

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这使得ZnO在光电器件应用中展现出诸多优势。在发光二极管（LED）领域，ZnO基LED有望实现高效的紫外和蓝光发射，相较于传