集成电路与器件工艺原理.pptVIP

新进展:PECVD，称等离子体CVD，既是低温：100~400℃，又是低压（与LPCVD同）。可用在溅射铝层以后CVD操作，可防止铝尖楔的产生。最主要优点：工作时加热温度低。第94页，共137页，星期日，2025年，2月5日APCVD的缺点：1.硅片水平放置，量产受限，易掉渣污染。2．反应速度受多种因素影响，反应室尺寸、气体流速、硅片位置等都会影响速度。3．均匀性不太好。第95页，共137页，星期日，2025年，2月5日第96页，共137页，星期日，2025年，2月5日F.ADI： 显微镜下检验显影质量。G.后烘：在烘箱中将Si片烘干。第62页，共137页，星期日，2025年，2月5日.刻蚀（指湿法刻蚀，干法随后再述）：一般是在SiO2上刻出窗口：SiO2+4HF=SiF4+2H2O；刻Al时则是：H3PO4+Al=AlPO4+H2.第63页，共137页，星期日，2025年，2月5日AEI：刻蚀后检验。去胶：一般是H2SO4+H2O2中去胶。但在有铝后，则在MUII（吡咯酮）中去胶。(干法去胶在干法刻蚀中讲)。第64页，共137页，星期日，2025年，2月5日七.光刻的主要质量问题：1.浮胶、钻蚀（光刻胶掀起，旁蚀刻）。第65页，共137页，星期日，2025年，2月5日2.过蚀刻。第66页，共137页，星期日，2025年，2月5日3蚀刻未净（小岛）。第67页，共137页，星期日，2025年，2月5日4铝线过细。5铝线桥接。6瞎窗。（尤其是引线孔光刻）。7铝发黄。8对准偏差。9引线孔未完全覆盖。第68页，共137页，星期日，2025年，2月5日10.针孔。第69页，共137页，星期日，2025年，2月5日.干刻工艺----光刻工艺的新进展。．湿法腐蚀的缺点：A.使用大量酸液，安全性差，又污染环境。B.侧向腐蚀严重，线条做不细。C.刻Si3N4和多晶硅时，光刻胶对H3PO4和HNO3+HF的耐受性不好。第70页，共137页，星期日，2025年，2月5日干刻原理：是利用接近真空条件下气体辉光放电产生等离子体，其中的腐蚀性气体的化学活性游离基与SiO2等被刻蚀表面发生反应，且生成物是气体。第71页，共137页，星期日，2025年，2月5日第72页，共137页，星期日，2025年，2月5日A.刻SiO2：在反应室通入CF4，CHF3，C2F6，SF6，C3F8，NF3等气体，产生F（游离基），于是：SiO2+4F*（游离基）=SiF4（气）+O2。目前流行用CHF3+Cl2来刻蚀。通入少量O2可加速反应。第73页，共137页，星期日，2025年，2月5日B.刻铝：可在反应室通入SiCl4,BCl3，CCl4+Cl2，BCl3+Cl2等气体。于是：AL+3Cl*（游离基）=ALCl3（气）。氟化物不行，因不能形成气体排走。注意:刻铝后应立即冲水或在有机溶剂中漂洗,防止氯离子残留腐蚀铝膜.第74页，共137页，星期日，2025年，2月5日C.刻Si3N4：原则上刻SiO2的气体都可刻Si3N4，但发现NF3效果较好。于是：Si3N4+12F*（游离基）=3SiF4+2N2。第75页，共137页，星期日，2025年，2月5日D.刻多晶硅：一般常用Cl2，HCl，SiCl4等气体，氟化物气体各向异性腐蚀的选择性差。Si+4Cl*（游离基）=SiCl4.第76页，共137页，星期日，2025年，2月5日7.物理气相淀积-----铝层贱射工艺（SPUTTUER）原理：用高能粒子（等离子体）从金属的表面撞出原子，然后让其淀积在硅片表面的物理过程。第77页，共137页，星期日，2025年，2月5日.欧姆接触的概念:线性和对称的伏安特性,接触电阻小于材料体电阻.第78页，共137页，星期日，2025年，2月5日用途:制作IC的内部条状互连线。第79页，共137页，星期日，2025年，2月5日三..溅射过程：1.产生氩气离子并导向一个靶，（铝靶材）。2.离子把靶表面的原子轰击出来。3.被轰出的铝向硅片运动。4.原子在表面上成膜。第80页，共137页，星期日，2025年，2月5日第81页，共137页，星期日，2025年，2月5日影响溅射