全后栅工艺高k金属栅结构CMOS器件偏压温度不稳定性的深度剖析与优化策略.docx

全后栅工艺高k金属栅结构CMOS器件偏压温度不稳定性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体器件的性能不断提升，尺寸持续缩小。在这一进程中，CMOS（互补金属氧化物半导体）器件凭借其低功耗、高集成度和良好的兼容性等优势，成为集成电路领域的核心器件，被广泛应用于各类电子产品中，如智能手机、计算机、物联网设备等。随着CMOS器件尺寸进入纳米尺度，传统的栅极材料和结构面临着诸多挑战，如栅极漏电流增加、阈值电压难以精确控制等问题，严重影响了器件的性能和可靠性。

为了解决这些问题，高k金属栅结构应运而生。高k金属栅结构采用高介电常数（高k）材料