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硅基GaN材料的生长及其优化

硅基GaN材料（硅衬底上生长的氮化镓）凭借硅衬底低成本、大尺寸、良好导热性及与现有硅基工艺兼容等优势，在功率器件（如HEMT）、紫外LED等领域展现出巨大应用潜力。其生长与优化的核心在于解决硅与GaN之间的晶格失配（约41%）和热失配（热膨胀系数差异约2倍）问题，以获得低缺陷、无开裂的高质量薄膜。

一、硅基GaN材料的主流生长方法

目前硅基GaN的生长以外延技术为主，其中金属有机化学气相沉积（MOCVD）因量产性强、薄膜均匀性好成为主流，分子束外延（MBE）则多用于高精度调控的基础研究。

MOCVD生长过程：以三甲基镓（TMGa）、氨气（NH?）为源材料，硅衬底（常用Si(111)）为基底，在高温（900-1100℃）、低压（100-500Torr）环境下进行气相外延。生长流程通常包括：衬底预处理（去除氧化层）→低温成核层（如200-600℃生长的GaN或AlN薄层，控制成核密度）→缓冲层生长（如AlN、AlGaN渐变层，缓解晶格失配）→高温GaN外延层生长（提升晶体质量）。

MBE生长特点：以固态镓、原子氮（由射频等离子体源产生）为源，在超高真空（10??Torr）下进行，可精确控制薄膜组分和厚度，适合生长异质结界面陡峭的结构（如量子阱），但生长速率较低，成本较高。

二、硅基GaN生长的核心挑战

硅与GaN的固有特性差异导致生长过程中面临两大核心问题，直接影响材料质量：

晶格失配引发的高缺陷密度：硅（晶格常数5.43?）与GaN（3.19?）的晶格失配率高达41%，会在异质界面产生大量位错（主要为刃型和螺型位错），位错密度通常在10?-10?cm?2。这些位错会成为载流子散射中心，降低器件迁移率，同时在光电器件中增加非辐射复合中心，影响发光效率。

热失配导致的薄膜开裂：硅的热膨胀系数（2.6×10??/K）远低于GaN（5.5×10??/K），在生长结束后的降温过程中，GaN薄膜因收缩率更大而承受巨大拉应力，当应力超过材料临界值（约1.5GPa）时，会出现贯穿性裂纹，导致器件失效。

三、硅基GaN材料的优化策略

针对上述挑战，研究人员通过结构设计、工艺调控和新型技术开发，形成了多维度优化体系：

1.缓冲层结构优化：缓解失配的“桥梁”

缓冲层是解决失配问题的核心，其设计直接影响薄膜应力和缺陷密度：

AlN缓冲层：AlN与GaN的晶格失配仅2.4%，且热膨胀系数（4.2×10??/K）介于硅与GaN之间，可作为“过渡层”缓解双重失配。通过调控AlN生长温度（如1000-1100℃）和V/III比（NH?/Al源比例），可减少AlN中的氧杂质和缺陷，提升与硅衬底的界面质量。

渐变AlGaN缓冲层：通过逐步降低Al组分（从AlN到GaN），实现晶格常数的连续过渡，进一步分散应力。例如，从Al?.5Ga?.5N到Al?.2Ga?.8N再到GaN的阶梯式渐变，可将位错密度降低至10?cm?2以下。

超晶格缓冲层：由交替生长的AlN/GaN薄层（厚度5-20nm）组成，利用界面处的应变场“钉扎”位错，抑制位错向上延伸。研究表明，引入10周期超晶格可使位错密度降低约一个数量级。

2.生长工艺参数调控：提升晶体质量

温度与压力：高温（1000℃）有利于原子扩散和缺陷湮灭，可提升GaN的结晶度，但过高温度会导致硅衬底与GaN发生互扩散（生成SiNx杂质相），需通过AlN阻挡层抑制。低压环境（100-300Torr）可减少气相寄生反应，提高薄膜均匀性。

V/III比：高V/III比（NH?过量，如1000:1）可抑制镓团簇形成，降低表面粗糙度，但过量NH?会增加氢原子对GaN的刻蚀，需平衡两者关系。

生长速率：低速生长（1μm/h）可减少位错和应力积累，但会降低生产效率，实际中常采用“低速成核+高速增厚”的分段策略。

3.缺陷抑制与应力调控技术

横向外延过生长（ELOG）：在硅衬底表面制备图形化掩膜（如SiO?条纹），GaN先在掩膜窗口垂直生长，再横向覆盖掩膜区域，位错在横向生长过程中向上弯曲并相互湮灭，可将位错密度降至10?cm?2以下。

应力补偿设计：通过掺杂或异质结构引入压应力抵消热失配导致的拉应力。例如，在GaN层中插入p型AlGaN层（Al组分0.2），利用其压应力缓解整体拉应力，减少开裂风险。

图形化衬底（PSS）：将硅衬底表面制备成微米级凹凸结构，增加GaN成核面积并改变应力分布，同时提升光提取效率（适用于LED应用）。

4.表征技术驱动的闭环