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WAYON维安WM02DH50M3代理分销经销一级代理分销经销.pdfVIP

WAYON维安WM02DH50M3代理分销经销一级代理分销经销.pdf

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    WM02DH50M31

    N+PDualChannelEnhancementMOSFET

    Features

    Way-onSmallSignalMOSFETs

    N-Channel:

    VDS=20V,ID=5A

    RDS(on)34mΩ@VGS=4.5V

    RDS(on)50mΩ@VGS=2.5V

    P-Channel:

    VDS=-20V,ID=-3A

    RDS(on)70mΩ@VGS=-4.5VSOT-23-6L

    RDS(on)90mΩ@VGS=-2.5V

    TrenchLVMOSFETTechnology

    MechanicalCharacteristics

    SOT-23-6LPackage

    Marking:MakingCode

    RoHSCompliant

    SchematicPINConfiguration

    D1D2D1S1D2

    G1G2

    S2

    S1

    G1S2G2

    DevicesymbolSOT-23-6L(Topview)

    AbsoluteMaximumRatings(T=25°Cunlessotherwisenoted)

    A

    ParameterSymbolValueUnit

    Drain-SourcevoltageVDS20-20

    V

    Gate-SourcevoltageVGS±8±8

    ContinuousDrainCurrentT=25°CID5-3A

    A

    PulsedDrainCurrent1IDM20-12A

    PowerDissipation1T=25°CPD1W

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