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10.势垒电容与扩散电容的产生机制。
11.三种结击穿机构。雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。
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14.肖特基势垒二极管与结二极管的异同。;双极晶体管;6.晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。
7.晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线
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大注入效应？效应(基区电导调制效应)和(韦伯斯脱)效应（大注入内建电场效应）。
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11.三种击穿电压的关系。
12.写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率？
13.f?,f?,的定义，及相互间的大小关系？
晶体管在开关过程中，结和结偏压是如何变化的。
的优势
;场效应晶体管;7.小信号等效电路。管截止频率表达式，提高频率性能的途径。
8.器件等比例缩小原则。
9.结构的C－V特性（理想、实际）。
10.热载流子效应和闩锁效应。
11.现代器件的发展趋势。;谢谢大家！
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