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氧化锌纳米棒阵列构筑调控及其光电性能关联研究
一、引言
1.1研究背景
在半导体材料的广袤领域中,氧化锌(ZnO)凭借其独特的物理化学性质,如宽禁带宽度(室温下约为3.37eV)、高激子束缚能(60meV),以及良好的化学稳定性和生物相容性等,成为了材料科学领域的研究焦点之一。自20世纪初被发现以来,ZnO就以其独特的晶体结构(六方纤锌矿结构)和电学、光学特性,在众多领域展现出巨大的应用潜力。随着纳米技术的飞速发展,氧化锌纳米结构材料的研究更是取得了突破性进展,其中氧化锌纳米棒阵列因其一维纳米结构所带来的高比表面积、优异的电子传输特性以及良好的光吸收能力等优势,在光电器件、传感
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