探秘缺陷：解锁宽禁带半导体及相关材料物性的关键密码.docx

下载文档

14
0
约2.4万字
约 28页
2025-10-24 发布于上海
举报
版权申诉
保障服务

探秘缺陷：解锁宽禁带半导体及相关材料物性的关键密码.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

探秘缺陷：解锁宽禁带半导体及相关材料物性的关键密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，宽禁带半导体凭借其独特的物理性质，逐渐成为推动现代电子技术进步的关键材料。宽禁带半导体，通常是指禁带宽度大于2.2电子伏特（eV）的半导体材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga_2O_3）、氮化铝（AlN）等。与传统的硅基半导体相比，宽禁带半导体具有高击穿电场强度、高电子饱和速度、低漏电流、抗辐射能力强以及化学稳定性好等一系列优异特性。这些特性使得宽禁带半导体在高温、高压、高频以及大功率等应用场景中展现出巨大的优势，成为了新能源汽车、5G通信、智能电网、航空