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电子技术基础期末考试题

（考试时间：90分钟总分：100分）

一、选择题（每题3分，共10题，总分30分）

硅二极管正向导通时，其正向压降约为（）

A.0.1VB.0.7VC.1.5VD.2.0V

三极管工作在放大状态的条件是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏

共射放大电路中，若增大基极偏置电阻RB，则静态工作点Q的（）

A.IB增大，IC增大B.IB减小，IC减小

C.IB增大，IC减小D.IB减小，IC增大

下列逻辑门中，不属于基本逻辑门的是（）

A.与门B.或门C.非门D.与非门

某TTL与非门的输入全为高电平时，输出为（）

A.高电平B.低电平C.高阻态D.不确定

单相半波整流电路中，若输入交流电压有效值为220V，则输出直流电压平均值约为（）

A.99VB.198VC.220VD.311V

场效应管属于（）控制型器件

A.电流B.电压C.电阻D.功率

时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是（）

A.时序电路有记忆功能B.组合电路有记忆功能

C.时序电路无输入信号D.组合电路无输出信号

若要将正弦波信号转换为方波信号，应选用（）

A.放大电路B.整流电路C.滤波电路D.整形电路

理想运算放大器的“虚短”特性是指（）

A.输入电流为零B.输出电阻为零

C.同相输入端与反相输入端电位相等D.开环电压放大倍数无穷大

二、填空题（每题4分，共5题，总分20分）

本征半导体在室温下，由于热激发会产生少量的（）和（），统称为载流子。

三极管的三个电极分别是（）、（）和集电极。

数字电路中，常用的数制有二进制、（）和（）。

基本RS触发器中，当R=0、S=1时，触发器输出Q为（）；当R=1、S=0时，输出Q为（）。

串联型稳压电路的核心部分是（），其作用是将采样电路反馈的信号与基准电压比较，进而调整输出电压。

三、简答题（每题10分，共2题，总分20分）

简述三极管实现电流放大的原理。

说明单相桥式整流电路的工作过程。

四、计算题（每题10分，共2题，总分30分）

共射放大电路中，已知VCC=12V，RB=300kΩ，RC=4kΩ，三极管的β=50，rbe=1kΩ。

（1）计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；

（2）计算电压放大倍数Au。

化简逻辑函数F=AB+A?B+?AB，要求：

（1）用公式法化简；

（2）用卡诺图化简，并画出化简后的逻辑电路图。

电子技术基础期末考试题答案

一、选择题（每题3分，共10题，总分30分）

B2.C3.B4.D5.B

A7.B8.A9.D10.C

二、填空题（每题4分，共5题，总分20分）

自由电子；空穴

发射极；基极

十进制；十六进制（顺序可互换）

1；0

比较放大电路

三、简答题（每题10分，共2题，总分20分）

三极管电流放大原理：

三极管实现电流放大的关键在于其内部结构（发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低、集电区面积大）和外部偏置条件（发射结正偏，集电结反偏）。

发射结正偏时，发射区的多数载流子（NPN管为自由电子）在电场作用下越过发射结进入基区，形成发射极电流IE；

进入基区的载流子大部分会被基区的少数载流子（空穴）复合，形成基极电流IB，但由于基区薄且掺杂浓度低，复合数量少，大部分载流子能到达集电结；

集电结反偏时，其电场方向会将基区中未复合的载流子拉入集电区，形成集电极电流IC。

最终实现IC=βIB（β为电流放大系数），即基极电流的微小变化能引起集电极电流的较大变化，实现电流放大。

单相桥式整流电路工作过程：

单相桥式整流电路由四个二极管接成电桥形式，输入为正弦交流电压u2，输出为脉动直流电压。

当u2处于正半周（上端为正、下端为负）时，二极管VD1、VD3正向导通，VD2、VD4反向截止，电流路径为：u2上端→VD1→负载RL→VD3→u2下端，负载RL获得上正下负的电压；

当u2处于负半周（上端为负、下端为正）时，二极管VD2、VD4正向导通，VD1、VD3反向截止，电流路径为：u2下端→VD2→负载RL→VD4→u2上端，负载RL仍获得上正下负的电压。

通过四个二极管的交替导通，将交流电