共掺杂TiO₂基与LaGaO₃基巨介电陶瓷：制备、性能及极化机理探究.docx

共掺杂TiO?基与LaGaO?基巨介电陶瓷：制备、性能及极化机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下，电子设备不断朝着小型化、集成化和高性能化的方向迈进，这对电子元器件的性能提出了更为严苛的要求。作为电子元器件的关键基础材料，介电陶瓷在其中扮演着举足轻重的角色。巨介电陶瓷，凭借其超高的介电常数，能够在较小的体积内实现较大的电容值，为电容器的小型化和高储能密度化提供了可能，在电子电路中的滤波、耦合、能量存储等关键环节发挥着不可替代的作用。同时，在动态随机存取存储器（DRAM）中，巨介电陶瓷的应用可以有效提高存储密度，提升数据存储和读取的效率。

在众多巨介电陶瓷体