第三章 集成电路中的无源元件.pptVIP

第三章集成电路中的无源元件第1页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1集成电阻器低阻类电阻，如发射区扩散电阻（薄层电阻）RSE≈5Ω/□，埋层电阻（薄层电阻，RS，BL≈20Ω/□）；高阻类电阻，如基区沟道电阻（薄层电阻RSB1=5~15kΩ/□），外延电阻（薄层电阻，RS，epi≈2kΩ/□）；高精度电阻，如离子注入电阻（薄层电阻RS1=0.1~20kΩ/□，常用范围为1~4kΩ/□），薄膜电阻（薄层电阻RSF=10~400Ω/□）第2页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.1基区扩散电阻这类电阻器的阻值粗略估算为RS为基区扩散层的薄层电阻；L，W分别为电阻器的宽度和长度。第3页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.1基区扩散电阻基区扩散电阻最小条宽的设计受到三个限制：由设计规则决定的最小扩散条宽；由工艺水平和电阻精度决定的最小电阻条宽WR,min；由流经电阻的最大电流所决定的WR,min。在设计电阻最小条宽WR,min时，应取三者中最大的一种。第4页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.1基区扩散电阻(1)设计规则决定的最小扩散条宽Wmin设计规则是从工艺中提取的、为保证一定成品率而规定的一组最小尺寸。这些规则主要考虑了制版、光刻等工艺可实现的最小线条宽度、最小图形间距、最小可开孔、最小套刻精度等。所以在设计扩散电阻的最小扩散条宽时，必须符合设计规则。第5页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.1基区扩散电阻(2)工艺水平和电阻精度要求所决定的最小电阻条宽WR,min第6页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.1基区扩散电阻(3)流经电阻的最大电流决定的WR,min第7页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器1、发射区磷扩散电阻第8页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器另一种发射区扩散电阻结构如图3.7所示。这类发射区扩散电阻可与其他电阻做在一个隔离岛上，但发射区扩散电阻要坐在一个单独的P型扩散区中，要使三个PN结都处于反偏。由于这种结构有寄生PNP效应，所以需要掩埋层。第9页，共31页，星期日，2025年，2月5日发射区扩散电阻主要用来作小阻值电阻和在连线交叉时作“磷桥”用，其电阻值的计算方法和基区扩散电阻类似。第10页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器2、隐埋层电阻第11页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器3、基区沟道电阻第12页，共31页，星期日，2025年，2月5日第13页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器4、外延层电阻（体电阻）第14页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器5、离子注入电阻第15页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2其他常用的集成电阻器第16页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2MOS集成电路中常用的电阻1、多晶硅电阻第17页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2MOS集成电路中常用的电阻2、用MOS管形成电阻第18页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.1.2MOS集成电路中常用的电阻第19页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.2集成电容器3.2.1双极集成电路中常用的集成电容器1、反偏PN结电容器第20页，共31页，星期日，2025年，2月5日第21页，共31页，星期日，2025年，2月5日3.2.1双极集成电路中常用的集成电容器2、MOS电容器第22页，共31页，星期日，2025年，2月5日