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新型硅、锗及硅锗异质结纳米线应变效应：基于第一性原理的深度剖析与创新应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子器件不断朝着小型化、高性能化方向迈进，纳米材料在这一进程中扮演着至关重要的角色。硅（Si）、锗（Ge）及硅锗（SiGe）异质结纳米线作为典型的半导体纳米材料，因其独特的物理性质和优异的电学性能，在现代电子器件领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

硅是半导体工业的基础材料，拥有成熟的制备工艺和广泛的应用基础。硅纳米线由于其纳米尺度效应，表现出与体硅截然不同的电学、光学和热学性质。例如，硅纳米线的量子限制效应使其能够在纳米尺度下实现对电子的有效约束，从而显著改