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基于分子动力学模拟的二硫化钼薄膜导热系数研究：机理、影响因素及应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，材料科学领域对于高性能材料的探索与研究不断深入。二硫化钼（MoS?）薄膜作为一种具有独特结构和优异性能的二维材料，近年来在电子、能源、催化等多个领域展现出了巨大的应用潜力，吸引了众多科研人员的关注。

二硫化钼薄膜由一层钼原子夹在两层硫原子之间，通过共价键形成稳定的S-Mo-S结构，各层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了二硫化钼薄膜许多优异的物理化学性质。在电子领域，二硫化钼薄膜具有半导体特性，其带隙在单层时为直接带隙，约1.8eV