第四章发光与耦合器件2讲课文档.pptVIP

（2）频谱分布光强度波长100mA82mA10mA123低于阈值时，自发辐射，非相干光，谱线宽，如1；高于阈值时，发生共振，谱线变窄，对应峰值波长的频率为共振频率（驻波频率）如图2，3。第28页，共42页。相对强度波长电流超过阈值时碲化铅二极管的激光发射光谱光强度波长59K20K2K磷化铟激光二极管频谱分布与温度的关系第29页，共42页。4、异质结激光器（1）单异质结激光器在GaAs的PN结上，用分子束外延和液相外延法得到GaAs-AlxGa1-xAs异质结。由于GaAs＆AlxGa1-xAs禁带宽度不同，因而在界面出形成了较高势垒，使从N-GaAs注入到P-GaAs中的电子在继续向P-AlxGa1-xAs扩散时受到阻碍，同没有这种势垒存在时比较，P-GaAs层内的电子浓度增加，辐射复合的几率也提高了。再者，P型铝镓砷对来自P型GaAs的发光吸收系数小，损耗也较小。由于铝镓砷的折射率较砷化镓低，因而限制了管座进入铝镓砷区，使光受到反射面局限在P-GaAs区内，从而少了周围非受激区对光的吸收。由于电子＆光子在异质结面上都受到了限制，减小了损耗，因而降低了阈值。其结构图＆能带图如下：第30页，共42页。第四章发光与耦合器件第1页，共42页。优选第四章发光与耦合器件第2页，共42页。3、制作材料（1）直接带（直接跃迁）材料：GaAs、GaN、ZnSe等。（2）间接带（间接跃迁）材料：GaP（3）混晶：GaAs1-xPx，禁带宽，掺杂不同材料，可发出不同颜色的光。4、特点体积小，耐冲击，寿命长，功耗低，响应快，可靠性高，颜色鲜明＆易与集成电路匹配等。第3页，共42页。二、特性参数（一）效率（1）用于非显示功率效率：输入的电功率转换成辐射的功率的效率。光学效率：外量子效率与内量子效率的比。第4页，共42页。量子效率：注入载流子复合而产生的光量子效率，可分为内量子效率＆外量子效率。内量子效率：辐射复合所产生的光子数与激发时注入的电子空穴对数之比。外量子效率：射出光子数与注入电子空穴对数之比。（2）用于显示照明效率：辐射功率转换成光通量的效率。流明效率：消耗单位功率所得到的光通量。第5页，共42页。（2）发光光谱（发光的相对强度随波长变化的分布曲线，它直接决定发光二极管的发光颜色，并影响其流明效率）相对强度波长GaAs0.6P0.4GaP描述光谱分布的两个主要参量是峰值波长和半强度宽度。发光二极管的峰值波长是由材料的禁带宽度决定的。当GaAs1-xPx的x值不同时，峰值波长在620～680nm之间变化，谱线半宽度大约为20～30nm，GaP发红光的峰值波长在700nm附近，半宽度大约为100nm。第6页，共42页。（三）出光特性（Flash演示）（四）伏安特性电压电流复合因子第7页，共42页。（五）发光亮度与电流的关系GaP(红色)GaP(绿色)GaAs1-xPxGa1-xAlxAs光强电流强度第8页，共42页。（六）寿命发光二极管的亮度降低到原有亮度一半时所经历的时间。一般可达十万个小时。随着工作时间的加长，亮度下降的现象叫老化。它与工作电流密度有关，随着电流密度的加大，老化变快，寿命变短。（七）响应时间标志器件对信息反应速度的物理量。即指器件启亮与熄灭时间的延迟。发光二极管的响应时间一般很短。第9页，共42页。三、应用1、数字、文字以及图像显示七段式数码管文字显示器的内部接线14划字码管第10页，共42页。2、指示、照明单个发光二极管可在仪器指示灯，示波器标尺，收音机刻度及钟表中的文字照明等。目前已有双色、多色甚至变色的单个发光二极管。3、光源多用于光纤通信与光纤传感器中。4、光电开关、报警、遥控＆耦合第11页，共42页。四、国外几种半导体发光二极管的主要参数类型出光面尺寸(um)发射波长(nm)光谱宽度(nm)截止频率(MHz)光纤芯径(um)数值孔径耦合方式进纤功率(uw)“平底碗”型正面出光500.9040~25500.66直接耦合1700无波导型侧面出光()0.05*650.8230~100900.14直接耦合800集成化透镜型正面出光401.27100501000.25球端光纤耦合310第12页，共42页。第二节激光器一、激光的产生（一）受激辐射1、自发辐射（Flash演示）2、受激吸收（Flash演示）3、受激辐射（Flash演示）第13页，共42页。（二