锗、硅量子点掺杂二氧化钛复合纳米薄膜材料：制备工艺与性能表征的深度探究.docx

锗、硅量子点掺杂二氧化钛复合纳米薄膜材料：制备工艺与性能表征的深度探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电领域对于高性能材料的需求日益迫切。二氧化钛（TiO?）作为一种重要的半导体材料，凭借其化学稳定性高、催化活性良好、成本低以及无毒等诸多优点，在光催化、太阳能电池、传感器等众多光电领域展现出巨大的应用潜力，是当前备受瞩目的明星材料之一。

然而，二氧化钛自身存在一些固有缺陷，严重限制了其在光电领域的广泛应用。一方面，二氧化钛的禁带宽度较大，锐钛矿型二氧化钛的禁带宽度约为3.2eV，这使得它只能吸收波长小于400nm的紫外光，而紫外光在太阳光中所占比例较低，