探索二维硫族化合物半导体材料：制备、结构与光电性能的深度剖析.docx

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2025-10-25 发布于上海
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探索二维硫族化合物半导体材料：制备、结构与光电性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，半导体材料作为信息技术的核心基础，始终处于科学研究和产业发展的前沿。自20世纪中叶以来，硅基集成电路凭借其成熟的制备工艺、良好的性能以及较低的成本，在半导体产业中占据了主导地位，推动了计算机、通信、消费电子等众多领域的巨大进步，深刻改变了人们的生活和工作方式。然而，随着摩尔定律的不断推进，硅基集成电路的特征尺寸逐渐逼近物理极限，如当器件尺寸进入纳米尺度后，量子效应、隧穿效应等问题日益凸显，严重影响器件的性能和稳定性；同时，栅极氧化层厚度接近极限，进一步减小难度极大，热管