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基于第一性原理的Ge?Sb?Te?结构、光学与分子动力学特性研究
一、绪论
1.1研究背景与意义
在信息技术飞速发展的当下,信息存储技术作为现代信息技术的核心组成部分,正面临着前所未有的挑战与机遇。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的广泛应用,数据量呈爆炸式增长,对信息存储的容量、速度、稳定性和能耗等方面提出了更高的要求。传统的存储技术,如硬盘、闪存等,逐渐难以满足这些日益增长的需求,亟需开发新型高性能的存储技术。
相变存储器(PCRAM)作为一种极具潜力的新型非易失性存储器,因其具备存储单元尺寸小、非挥发性、循环寿命长、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等诸多优点,成为了学术界和产业界的研
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