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三极管输出特性三极管输出特性三极管输出特性第1页，共14页。优选晶体三极管输出特性曲线第2页，共14页。教学设计2.新知引入1.复习回顾3.讲授新知4.拓展新知第3页，共14页。复习回顾当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7V，锗管约为0.3V。PNNNPPVBE与IB成非线性关系A输入特性曲线第4页，共14页。新知引入在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。B第5页，共14页。讲授新知三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系，可用三极管的输出特性曲线表示。GCGBRPRVCERCICIBVVuAmA以共射电路为例：C第6页，共14页。vCE/v00.30.513510IB=0uA000.10.10.150.20.3IB=40uA00.430.520.530.530.530.53IB=80uA02.12.32.42.42.42.4IB=120uA04.14.34.44.44.44.4IC/mA输出特性曲线族图IB一定，VCE和IC对应的数据：第7页，共14页。1．截止区IB=0，三极管处于截止状态。电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO为穿透电流。偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。 截止状态以NPN管为例：PNNVBE≤0,VBC＜0,VCE＞VBEICEOVBEVBCVCE第8页，共14页。2．饱和区VCE=VCES，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V，锗管约为0.1V，三极管处于饱和状态。电流特点：IC不随IB的增大而线性增大。偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。饱和状态VBE＞0,VBC＞0,VCE＜VBE以NPN管为例：PNNVBEVBCVCE第9页，共14页。3．放大区放大状态电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=βΔIB，具有电流放大作用。恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC恒定。偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。以NPN管为例：VBE＞0,VBC＜0,VCE＞VBEPNNVBEVBCVCE第10页，共14页。三极管输出特性三极管输出特性三极管输出特性
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