半导体物理基础 (2)2.pptVIP

E-k关系图（GaAs）GaAs:Eg=1.16eV第30页，共78页，星期日，2025年，2月5日第31页，共78页，星期日，2025年，2月5日本征半导体:是指一块没有杂质和缺陷的半导体.本征激发:T0K时,电子从价带激发到导带,同时价带中产生空穴.n0=p0=nin0p0=ni2ni------本征载流子浓度1.IntrinsicSemiconductor（本征半导体）第二章半导体中杂质和缺陷能级第32页，共78页，星期日，2025年，2月5日第33页，共78页，星期日，2025年，2月5日*从si的共价键平面图看:P15:1S22S22P63S23P3这种束缚比共价键的束缚弱得多,只要很少的能量就可以使它挣脱束缚,成为导带中的自由粒子.这个过程称杂质电离.Doped/extrinsicSemiconductor（掺杂/非本征半导体）(1)Donor（施主杂质）n型半导体Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅴ族元素,如P:第34页，共78页，星期日，2025年，2月5日*从Si的电子能量图看:结论:磷杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。这种杂质称施主杂质。掺施主杂质后，导带中的导电电子增多，增强了半导体的导电能力。主要依靠导带电子导电的半导体称n型半导体。电离能的计算:氢原子第35页，共78页，星期日，2025年，2月5日（2）Acceptor(受主杂质)p型半导体Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅲ族元素,如硼（B）:*从si的共价键平面图看:B13:1S22S22P63S23P1小结：纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。主要依靠价带空穴导电的半导体称p型半导体。第36页，共78页，星期日，2025年，2月5日*从Si的电子能量图看:第37页，共78页，星期日，2025年，2月5日（3）杂质的补偿作用半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们之间有相互抵消的作用——杂质补偿作用。*当ND》NA时，n=ND-NA≈ND半导体是n型*当ND《NA时，p=NA-ND≈NA半导体是p型*当ND≈NA时，杂质的高度补偿ND——施主杂质浓度NA——受主杂质浓度n——导带电子浓度p——价带空穴浓度第38页，共78页，星期日，2025年，2月5日第三章半导体中载流子的统计分布

（CarrierStatistics）载流子浓度=(∫状态密度g(E)×分布函数f(E)dE)/V状态密度g(E)—单位能量间隔中的量子态数（能级数）分布函数f(E)—能量为E的量子态被一个粒子占据的几率.第39页，共78页，星期日，2025年，2月5日*状态密度(Densityofstates)：金属自由电子g(E)半导体导带电子gc(E)1.Electornconcentration(导带中的电子浓度)第40页，共78页，星期日，2025年，2月5日对于Si,Ge其中:Ge:s:thenumberofellipsoidalsurfaceslyingwithinthefirstBrillouin导带底电子状态密度有效质量Si:s=6s=(1/2)8=4第41页，共78页，星期日，2025年，2月5日*分布函数f(E)半导体导带中的电子按能量的分布服从费米统计分布。——玻尔兹曼分布fermifunction非简并半导体（nondegeneratedsemiconductor）简并半导体（degeneratedsemiconductor）第42页，共78页，星期日，2025年，2月5日*导带电子浓度n令Etop→∞则χtop→∞第43页，共78页，星期日，2025年，2月5日导带的有效状态密度Nc电子占据量子态Ec的几率第44页，共78页，星期日，2025年，2月5日*状态密度：2.Holeconcentration(价带中的空穴浓度)*分布函数fV(E）fV(E）表示空穴占据能态E的几率，即能态E不被电子占据的几率。第45页，共78页，星期日，2025年，2月5日*价带空穴浓度p0价带的有效状态密度Nv