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§7-4位错的弹性性质
晶体中有位错存在时，位错线及其周围的晶格产生严重畸变，
畸变处的晶体原子偏离平衡位置，能量增高。位错线及其周围区
域产生弹性应变和应力场。
本节讨论：位错的应力场、位错的能量和张力、外力对位错
的作用、位错间的交互作用等。
一、位错的应力场
从材料力学知识，我们已知固体中任一点的应力状态可用
下图所示的9个应力分量来表示：
单元体各面上的应力描述
要准确地对晶体中位错周围的弹性应力场进行定量计算是采用柱坐标：Gbz
复杂而的，为简化起见，通常采用弹性连续介质模型来τθz=
2πr
进行计算。该模型作了以下假设：
晶体是完全弹性体；θy
r
晶体是各向同性的；式中，G——材料的剪切模量x
b——位错的柏氏矢量
晶体中没有空隙，由连续介质组成。因此晶体中的应力应
r——距位错线的距离（半径）
变是连续的，可用连续函数表示。τ——z方向上的切应力
θz
1、螺位错的应力场动画screw-3
由于圆柱只在z轴方向有位移，在xy方向都没有位移，所以其
他分量都为0：
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