LANDP-LP35118V_CN_DS_Rev_1.4宏盛微 优势渠道33.pdfVIP

LANDP-LP35118V_CN_DS_Rev_1.4宏盛微 优势渠道33.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

LP35118V

高性能副边同步整流驱动芯片

概述特点

LP35118V是一款高性能高耐压的副边同步整流控隔离型的同步整流控制应用

制芯片,适用于AC-DC的同步整流应用,适用于适用正激和反激系统

正激系统和反激系统。LP35118V支持DCM和CCM兼容DCM和CCM多种工作模式

控制芯片200V高耐压

多种工作模式。

驱动低阈值NMOS

LP35118V采用专利的整流管开通判定技术,可以专利的整流管开通技术

有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误开通。极快的关断速度

可调的同步MOS关断阈值

LP35118V具有极快的关断速度,可以大幅度降低集成VCC供电技术

在CCM工作条件下因关断延迟造成的效率损失。芯片供电欠压保护

芯片过压钳位

LP35118V集成VCC供电技术,在不需要辅助绕

芯片启动前驱动脚防误导通

组供电的情况下,保证芯片VCC不会欠压。外围元器件少

LP35118V采用SOT23-6L封装。符合ROHS,HFREACH要求

应用

充电器和适配器的同步整流

正激控制器和反激控制器

典型应用

图1LP35118V反激典型应用图

定购信息

定购型号封装包装形式印章

盘装

LP35118VSOT23-6L8VXXXX

3000颗/盘

*XXXX:批号

LP35118V_CN_DS_Rev.1.4SHENZHENChipHopeMicro-electronicsLTDConfidential–CustomerUseOnly

18

Page/

LP35118V

高性能副边同步整流驱动芯片

管脚封装

图2管脚封装图

管脚描述

管脚名称描述

NC悬空

GND同步整流驱动器的芯片地,和MOS管的源极连接

VCC同步整流管的电源脚位,接旁路电容到GND

DRV同步整流驱动脚位,和MOS管的栅极连接

D同步整流驱动器的漏极电压检测脚,并供

文档评论(0)

深圳市宏盛微半导体 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档