X荧光分析实验报告——南京大学.docVIP

南京大学物理系实验报告

题目：X荧光分析

姓名：黄健学号：141120038日期：2017.6

实验目的

了解能量色散X荧光分析的原理，仪器构成和基本测量分析方法。

验证莫赛莱定律，并从实验推出屏蔽常数。

研究对多道分析器的定标，以及利用X荧光分析测量未知样品成分及相对含量的方法。

实验原理

以一定能量的光子，电子，质子，α粒子或其他离子轰击样品，将物质原子中的内壳层电子击出，产生电子空位，原子处于激发态。外壳层电子向内壳层跃迁，填补内壳层电子空位，同时释放出跃迁能量，原子回到基态。跃迁能量以特征X射线形式释放，或能量转移给另一个轨道电子，使该电子发射出来，即俄歇电子发射。另外还可能存在几率较低，主量子数相同，角量子数不同，亚壳层间电子的Coster-Kronig非辐射跃迁。测出特征X射先能谱，即可确定所测样品中元素种类和含量。

当原子中K层电子被击出后，L层或M层的电子填补K层电子空位，同时以一定几率发射特征X射线。L→K产生的X射线叫Kα系，L层有三个子壳层，允许跃迁使Kα系有两条谱线Kα1和Kα2。M→K产生的X射线叫Kβ系，M层有五个子壳层，允许跃迁使Kβ有Kβ1,Kβ3,Kβ5三条谱线。当原子中L层电子被击出后，M→L跃迁产生的X射线叫L系。图1是特征X射线与电子跃迁能级示意图。

特征X射线的能量为两壳层电子结合能之差，即

所有元素的K，L系特征X射线能量在几千电子伏到几十千电子伏之间。

X荧光分析中激发X射线的方式一般有三种：（1）用质子、α粒子或其他离子激发；（2）用电子激发；（3）用X射线或低能γ射线激发。

用质子激发特征X射线的分析技术（常记为PIXE）是几种激发方式中分析灵敏度最高的，相对灵敏度达10-6~10

用电子束激发（常记为EIX），目前主要用在扫描电镜与电子探针中。与PIXE相比，电子激发引起的韧致辐射本底比质子激发大，影响分析灵敏度。一般灵敏度比PIXE低2~3个数量级。另外这种激发方式不能在空气中进行，只适用于薄样品。

用X射线或低能γ射线激发（记为XIX），常用X光管，放射性同位素作为激发源。这类激发用射线不易聚焦；分析灵敏度亦稍低，相对灵敏度一般为10-5~10-6g/g

轻便型仪器常用放射性同位素和X光管作激发源。可选用的同位素源主要有激发出的55Fe，238Pu，109Cd，241Am，57Co，

图2238Pu源的X

X光管是通过加热阴极K发出的热电子在阴、阳极间高压电场加速下，轰击阳极A(常称阳极靶)产生X射线的。图3是比较典型的X光管(钨靶)产生的X射线谱;它由连续谱和特征谱组成。特征谱决定于靶材，其生成机理如前述。连续谱产生机理如图4所示。高速电子打入阳极靶，被靶中原子核的库仑场减速，发出韧致辐射。原子核的质量远大于电子质量，此过程中原子核的动能可忽略，因此，韧致辐射发出的光子能量hv应等于电子动能的减少，即，

hv=

图3X光管激发的X射线谱图4连续谱产生机理示意图

当电子动能减少到0时，发出的光子能量最大，相应频率最高，波长最短

h

由上式可知，连续谱有与加速高压成反比的短波限λ0

在频率不太高时，连续谱的强度近似为Iv

连续谱的强度分布与X光管阳极与阴极间电压V，光管电流i和靶元素的原子序数Z有关，其关系为I∝ZiV2，连续谱最大强度对应的波长λImax

特征X射线强度，当X光管靶材一定后，与管电压V和管电流i的关系为I∝(V-V0)ni，其中V0为激发电势，它对应于激发某线系所需的最低能量。当V是V

XIX技术中，人射光子除与样品中原子发生光电作用产生内壳层空位外，还可以发生相干散射和非相干散射（康普顿散射），这些散射光子进入探测器，形成XIX分析中的散射本底。另外，样品中激发出的光电子又会产生轫致辐射，但这产生的本底比散射光子本底小得多，且巨能量也较低，一般在3keV以下。所以XIX能谱特征是：特征X射线峰叠加在散射光子峰之间的平坦的连续本底谱上。如图5能谱示意图所示。a峰是相干散射光子峰，b是康普顿散射光子峰，c是特征X射线峰，d是散射光子在探测器中的康普顿边缘。

测量特征X射线常用Si(Li)探测器，它的能量分辨率高，适用于多元素同时分析，也可选用Ge(Li)或高纯Ge探测器，但均价格昂贵。另外还有电致冷Si-

图5光子激发的特征X射线能谱示意图（假定样品基体由轻元素组成）

在X荧光分析中，对于轻元素（一般指Z45的元素）通常测其KX射线，对于重元素（Z45的元素），因其KX射线能量较高且比LX射线强度弱，常测其LX射线，这样测量的特征X射线能量一般在20keV以下。正比计数管在此能量范围，探测效率较高，其能量分辨率虽比Si(Li)探测器差，但远好于NaI(Tl)闪烁探测器，质量好的正比管5.89