HP Comp系列多用途闪存芯片技术规格与性能参数.pdfVIP

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2025-10-30 发布于北京
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HP Comp系列多用途闪存芯片技术规格与性能参数.pdf

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512Kbit/1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash

SST39LF512/SST39LF010/SST39LF020/SST39LF040

SST39VF512/SST39VF010/SST39VF020/SST39VF040

DataSheet

FEATURES:

•Organizedas64Kx8/128Kx8/256Kx8/512Kx8•FastEraseandByte-Program:

•SingleVoltageReadandWriteOperations–Sector-EraseTime:18ms(typical)

–3.0-3.6VforSST39LF512/010/020/040–Chip-EraseTime:70ms(typical)

–2.7-3.6VforSST39VF512/010/020/040–Byte-ProgramTime:14µs(typical)

–ChipRewriteTime:

•SuperiorReliability

1second(typical)forSST39LF/VF512

–Endurance:100,000Cyc(typical)2seconds(typical)forSST39LF/VF010

–Greaterthan100yearsDataRetention4seconds(typical)forSST39LF/VF020

•LowPowerConsumption:8seconds(typical)forSST39LF/VF040

–ActiveCurrent:10mA(typical)•AutomaticWriteTiming

–StandbyCurrent:1µA(typical)–InternalVPPGeneration

•Sector-Erase

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