第01章常用半导体器件.pptVIP

一、输入特性UCE?1VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。IB=IBE-ICBO*第61页，共103页，星期日，2025年，2月5日二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。*第62页，共103页，星期日，2025年，2月5日IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。*第63页，共103页，星期日，2025年，2月5日IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死区电压，称为截止区。*第64页，共103页，星期日，2025年，2月5日总结：放大区—IC平行于Uce轴的区域，曲线