课题十三晶闸管及其应用.pptVIP

2.硒堆保护19.3.2晶闸管的过压保护1.阻容保护CR利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。RCRC硒堆保护(硒整流片)CR~RL晶闸管元件的阻容保护第30页，共44页，星期日，2025年，2月5日19.4单结晶体管触发电路19.4.1单结晶体管结构及工作原理1.结构B2第二基极B1N欧姆接触接触电阻P发射极E第一基极PN结N型硅片(a)示意图单结晶体管结构示意图及其表示符号(b)符号B2EB1第31页，共44页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理?UE?UBB+UD=UP时PN结反偏，IE很小；PN结正向导通,IE迅速增加。UE?UP时??–分压比(0.5~0.9)UP–峰点电压UD–PN结正向导通压降B2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效电路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1测量单结晶体管的实验电路由图可求得第32页，共44页，星期日，2025年，2月5日下一页总目录章目录返回上一页课题十三晶闸管及其应用第1页，共44页，星期日，2025年，2月5日晶闸管（SiliconControlledRectifier）晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。优点：第2页，共44页，星期日，2025年，2月5日G控制极19.1晶闸管19.1.1基本结构K阴极G阳极AP1P2N1N2四层半导体晶闸管是具有三个PN结的四层结构,其外形、结构及符号如图。(c)结构KGA(b)符号(a)外形晶闸管的外形、结构及符号三个

PN

结第3页，共44页，星期日，2025年，2月5日P1P2N1N2KGA晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合+KAT2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK第4页，共44页，星期日，2025年，2月5日T1T219.1.2工作原理A在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。形成正反馈过程KGEA0、EG0EGEA+_R第5页，共44页，星期日，2025年，2月5日晶闸管导通后，去掉EG，依靠正反馈，仍可维持导通状态。19.2.2工作原理GEA0、EG0KEA+_RT1T2EGA形成正反馈过程第6页，共44页，星期日，2025年，2月5日晶闸管导通的条件：1.晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。2.晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。晶闸管导通后，控制极便失去作用。依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。晶闸管关断的条件：1.必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。2.将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。第7页，共44页，星期日，2025年，2月5日正向特性反向特性URRMUFRMIG2IG1IG0UBRIFUBO正向转折电压IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向转折电压正向平均电流维持电流?U19.1.3伏安特性第8页，共44页，星期日，2025年，2月5日19.1.4主要参数UFRM:正向重复峰值电压（晶闸管耐压值）晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。一般取UFRM=80%UB0。普通晶闸管UFRM为100V—3000V反向重复峰值电压控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元件上的反向峰值电压。一般取URRM=80%UBR普通晶闸管URRM为100V—3000V