《电工电子学及实验》(2021-2022-1)(浙江大学)mooc慕课答案满分测试.docxVIP

第一章电路和电路元件第一章测试题

1、电容具有（）特性。

A:通低频阻高频

B:隔直流阻交流

C:通直流阻交流

D:隔直流通交流

答案:隔直流通交流

2、当电路中电流的参考方向与电流的实际方向相反时，该电流（）。

A:一定为正值

B:一定为负值

C:不能肯定是正值或负值

D:有时为正值，有时为负值

答案:一定为负值

3、有一个2V电压源，内阻为0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为（）。

A:0A，2V

B:20A，0V

C:2A，0V

D:0A，0V

答案:0A，2V

4、当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，且通过计算其电压、电流都为正，则该元件（）功率。

A:吸收

B:发出

C:不能确定

D:有时吸收，有时发出

答案:吸收

5、已知3个串联电阻的功率分别为PR1=12W，PR2=16W，PR3=24W，电阻R1=3Ω，则电阻R2和R3的阻值分别为（）A.R2=8Ω，R3=12ΩB.R2=6Ω，R3=4ΩC.R2=4Ω，R3=6ΩD.R2=2.25Ω，R3=1.5Ω

A:R2=8Ω，R3=12Ω

B:R2=6Ω，R3=4Ω

C:R2=4Ω，R3=6Ω

D:R2=2.25Ω，R3=1.5Ω

答案:R2=4Ω，R3=6Ω

6、电源置零，下列描述中正确的是（）。

A:电压源开路，电流源短路

B:电压源短路，电流源开路

C:电压源短路，电流源短路

D:电压源开路，电流源开路

答案:电压源短路，电流源开路?

7、关于n个并联电阻的特征描述，下列哪个叙述是正确的（）。

A:并联的电阻越多，等效电阻就越大。

B:并联电阻值越大，所分得的电流越大。

C:在理想电流源供电的情况下，当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时，电流源的两端电压为零。

D:在理想电压源供电的情况下，并联电阻值越小，所吸收的功率就越小。

答案:在理想电流源供电的情况下，当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时，电流源的两端电压为零。

8、在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别是6V，1.2V，1V，则该管为（）。

A:NPN硅管

B:PNP锗管

C:NPN锗管

D:PNP硅管

答案:NPN锗管

9、对某电路中的一个NPN硅管进行测试，测得UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作在（）。

A:放大区

B:饱和区

C:截止区

D:放大饱和区

答案:饱和区?

10、在晶体管放大电路中，若测得某晶体管的三个极的电位分别为9V，2.5V，3.2V，则这三个极分别为（）。

A:C,B,E

B:C,E,B

C:E,C,B

D:E,B,C

答案:C,E,B

11、在放大电路中，若测得晶体管的三个极的电位分别为-9V，-6.2V，-6V，则-6.2V的那个极为（）。

A:集电极

B:基极

C:发射极

D:以上都不是

答案:基极

12、晶体管工作在饱和状态时，（）。

A:发射结正偏，集电结反偏

B:发射结正偏，集电结正偏

C:发射结反偏，集电结正偏

D:发射结反偏，集电结反偏

答案:?发射结正偏，集电结正偏?

13、双极型晶体管的控制方式是（）。

A:输入电流控制输出电流

B:输入电压控制输出电压

C:输入电流控制输出电压

D:输入电压控制输出电流

答案:输入电流控制输出电流?

14、绝缘栅场效管的控制方式是（）。

A:输入电流控制输出电流

B:输入电压控制输出电压

C:输入电流控制输出电压

D:输入电压控制输出电流

答案:输入电压控制输出电流

15、某场效晶体管当UDS0、UGS0时可导通，则此场效晶体管为（）。

A:NMOS增强型管

B:NMOS耗尽型管

C:PMOS增强型管

D:PMOS耗尽型管

答案:NMOS耗尽型管

16、已知一个Us=20V的理想电压源与一个R=4Ω的电阻相并联，则这个并联电路的等效电路可用（）表示。

A:Us=20V的理想电压源

B:Is=5A的理想电流源

C:Is=80A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路

D:Is=5A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路

答案:Us=20V的理想电压源

17、已知某一支路由一个Us=10V的理想电压源与一个R=2Ω的电阻串联，则这个串联电路对外电路来讲，可用（）来进行等效。

A:Us=10V的理想电压源

B:Is=5A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路

C:Is=5A的理想电流源

D:Is=20A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路

答案:Is=5A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路

18、稳压管的稳压工作是利用伏安特性中的（）。

A:正向特性

B:反向特性

C:反向击穿特性

D:截止特性

答案:反向击穿特性?

19、理想二极管V构成的