集成电路工艺第二章氧化.pptVIP

第1页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧化工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。氧化是硅基集成电路的基础工艺之一第2页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧化原理硅热氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。热氧化分为干氧、湿氧、水汽氧化，其化学反应式：■干氧氧化：Si＋O2→SiO2■湿氧氧化：Si＋H2O＋O2→SiO2+H2■水汽氧化：Si＋H2O→SiO2＋H2■硅的氧化温度：750℃～1100℃第3页，共34页，星期日，2025年，2月5日加热器第4页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧化过程氧化剂（氧分子或水分子）通过扩散到达Si与Si02界面同Si发生反应，其过程如下：1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2表面，其流密度为F1。2、氧化剂扩散穿过SiO2层达到SiO2-Si界面，流密度为F2。3、氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO2，流密度为F3。4、反应的副产物离开界面。第5页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧化物生长速率氧化层生长第一阶段（≤150?）线性：氧化层生长第二阶段（＞150?）抛物线生长阶段：其中X为氧化层厚度B/A为线性速率系数、B为抛物线速率系数t为生长时间B/A和B与温度、氧化剂浓度，反应室压力等因素有关。第6页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧化物生长曲线第7页，共34页，星期日，2025年，2月5日影响二氧化硅生长的因素氧化温度：氧化时间：掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快硅片晶向：111硅单晶的氧化速率比100稍快反应室的压力：压力越高氧化速率越快氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快第8页，共34页，星期日，2025年，2月5日常规氧化工艺硅片清洗（除去硅片上的各种沾污）进片/出片（进出850℃温区的速度：5cm/分）质量检查（厚度及其均匀性、表面缺陷、固定和可动电荷的检测）SiO2厚度大约600nm左右常规氧化程序曲线第9页，共34页，星期日，2025年，2月5日常规氧化工艺湿氧氧化水汽产生装置第10页，共34页，星期日，2025年，2月5日氢氧合成氧化工艺氢氧合成产生水分子代替去离子水加热产生水分子氢氧合成的化学反应方程式：2H2＋O2=2H2O（氢氧合成温度≥750℃）氢氧合成工艺中，特别注意H2与O2的流量比！第11页，共34页，星期日，2025年，2月5日热生长SiO2–Si系统中的实际电荷情况热生长SiO2–Si系统第12页，共34页，星期日，2025年，2月5日在实际的SiO2–Si系统中，存在四种电荷：1.可动电荷：指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。2.固定电荷：指位于SiO2–Si界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。3.界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。4.陷阱电荷：由辐射产生。热生长SiO2–Si系统第13页，共34页，星期日，2025年，2月5日在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2的质量。其优点：1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累2、氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污掺氯氧化工艺第14页，共34页，星期日，2025年，2月5日不掺氯热氧化层1.可动电荷（主要是Na＋离子）密度：3×1012～1×1013/cm22.固定电荷密度：1×1012/cm2掺氯热氧化层1.可动电荷（主要是Na＋离子）密度：2×1010～1×1011/cm22.固定电荷密度：（1～3）×1011/cm2不掺氯和掺氯氧化层电荷密度的对比第15页，共34页，星期日，2025年，2月5日氧化消耗硅氧化前氧化后■氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的45％左右第16页，共34页，星期日，2025年，2月5日选择性氧化：常用于硅的局部场氧化LOCOS（LOCalOxidationofSilicon）氧化前氧化后第17页，共34页，星期日，2025年，2月5日三种热氧化层质量对比质量氧化水温氧化速率均匀性重复性结构