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2025版空间环境宇航用电子元器件空间环境效应模拟试验通用要求
1范围
本文件确立了宇航用电子元器件(以下简称“元器件”)空间环境效应、空间环境效应地面模拟试验
的原则和试验流程,规定了其试验要求。
本文件适用于宇航用电气、电子、电磁、机电和光电等元器件的空间环境效应地面模拟试验。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T半导体器件机械和气候试验方法第部分低气压
4937.22
GB/T4937.11半导体器件机械和气候试验方法第11部分快速温度变化双液槽法
GB/T4937.18—2018半导体器件机械和气候试验方法第18部分电离辐照(总剂量)
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ISO21494航天系统磁测试(Spacesystems—Magnetictesting)
IEC60749.25半导体器件机械和气候试验方法第25部分温度循环(Semiconductor
devices—Mechanicalandclimatictestmethod—Part25Temperaturecycling)
JEDECJESD22-A114E静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)[Electrostaticdischarge
(ESD)sensitivitytesting—Humanbodymodel(HBM)]
3术语和定义
GB/T32452界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
电子元器件electroniccomponent
在电子线路或电子设备中执行电气、电子、电磁、机电和光电功能的基本单元。该基本单元可由多
个零件组成,通常不破坏是不能将其分解的。
[来源GB/T32054—20153.,7]
第1页共28页
3.2
电离总剂量效应totalionizingdoseeffect
电离辐射产生的累积电荷引起元器件性能参数的变化。常简称为总剂量效应。
[来源GB/T4937.18—20182.,1]
3.3
低剂量率增强效应enhancedlow-dose-ratesensitivity
一些工艺的电子器件在较低剂量率条件下的电离总剂量辐照损伤比在较高剂量率条件下辐照损伤
严重的一种辐射效应现象。
3.4
单粒子效应singleeventeffect
单个粒子入射电子器件,通过直接电离或核反应产物电离导致器件功能/性能变化的现象。
3.5
位移损伤displacementdamage
高能粒子作用于器件,引起原子发生位移,导致器件电参数的变化或者失效,又称非电离损伤。
[来源GB/T42969—20233.,1]
3.6
静电放电electro-staticdischarge
具有不同静电电位的物体互相靠近或者直接接触引起的电荷转移。
[来源GB/T17626.2—20183.,10]
3.7
真空冷焊vacuumcoldwelding
在真空度高于-9-7环境下,相互接触的材料由于接
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