场效应管小结.pptVIP

第1页，共29页，星期日，2025年，2月5日第7章半导体表面特性及MOS电容7.1半导体表面和界面结构了解清洁表面和真实表面的特点理解Si-SiO2界面的特点及影响因素7.2表面势掌握MIS结构的表面积累、耗尽和反型时表面势与能带特点7.3MOS结构的电容-电压特性掌握理想MOS的C公式了解影响实际C-V特性曲线变化的因素7.4MOS结构的阈值电压掌握理想与实际阈值电压的计算（含C、ΨS、Wm、QSC）第2页，共29页，星期日，2025年，2月5日一、半导体表面和界面结构真实表面分为外表面和内表面，其中内表面属于快态能级，外表面属于慢态能级。利用热生长或化学汽相淀积人工生长方法在Si面上生长SiO2层，可厚达几千埃，形成硅-二氧化硅界面。理想表面的特点：在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。Si-SiO2界面的结构的应用：MOS结构中的绝缘介质层、器件有源区之间场氧化隔离选择掺杂的掩蔽膜、钝化保护膜等第3页，共29页，星期日，2025年，2月5日可动离子（钠离子，减小该离子沾污的工艺为磷稳定化和氯中性化）固定电荷（氧化层正电荷，固定电荷密度由最终氧化温度决定，减小的方法是在惰性气体中退火）界面陷阱，又称界面态（中性悬挂键引起，界面态的能级分布？减小方法有氢气退火和金属后退火工艺）电离陷阱（由辐射、高温高负偏置应力引起的附加氧化层电荷的增加，去除和减小的方法是热退火和加固）一、半导体表面和界面结构二氧化硅层中，存在着严重影响器件性能的因素主要有哪些？第4页，共29页，星期日，2025年，2月5日二、表面势表面势的概念空间电荷区表面到内部另一端，电场从最大逐渐减弱到零，其各点电势也要发生变化，这样表面相对体内就产生电势差，并伴随能带弯曲，常称空间电荷区两端的电势差为表面势ΨS。MIS结构加正向电压时，金属侧积累正电荷，半导体表面一层便形成空间负电荷区。此时，表面势ΨS是正的，表面电场由外界指向半导体，表面的能带向下弯曲，此时，表面与体内达到了热平衡，具有共同的费米能级；空间电荷区中的负电荷恰好与金属中的正电荷相等。第5页，共29页，星期日，2025年，2月5日二、表面势MIS结构加反向电压时，金属侧积累正电荷，半导体表面一层便形成空间正电荷区。此时，表面势ΨS是负的，表面电场由半导体指向外界，表面的能带向上弯曲。积累耗尽反型P型半导体衬底表面势ΨsΨs0ΨF≥Ψs0ΨsΨF0半导体空间电荷空穴积累空穴耗尽电子积累能带变化向上弯曲向下弯曲向下弯曲N型半导体衬底表面势ΨsΨs0ΨF≦Ψs0ΨsΨF0半导体空间电荷电子积累电子耗尽空穴积累能带变化向下弯曲向上弯曲向上弯曲第6页，共29页，星期日，2025年，2月5日三、MOS结构的电容-电压特性理想MOS电容的特点：金属-半导体功函数差为零；氧化层及界面电荷为零；界面态为零；半导体体内电阻为零；氧化层完全不导电。能带应是平的；半导体表面处ΨS=0。理想MOS电容实际就是由一个氧化层电容COX和一个半导体中空间电荷区电容CS的串联结构组成的。真空介电常数ε0=8.85×10－12F/m；SiO2的氧化层相对介电系数εOX为3.9硅的相对介电常数εS为11.9锗的相对介电常数εS为16第7页，共29页，星期日，2025年，2月5日三、MOS结构的电容-电压特性影响实际MOS的C-V特性曲线的因素有哪些？氧化层内正电荷总是使C-V曲线产生左移影响。金属-半导体功函数ΦMS使C-V曲线产生左移影响。掺杂浓度提高，高频反型电容会大大增加。氧化层厚度增加会使高频反型电容升高。温度对反型偏置电容有中等敏感度（温度上升电容变大），其他区域则基本上不随温度变化。。第8页，共29页，星期日，2025年，2月5日四、MOS结构的阈值电压掌握理想与实际阈值电压的计算（含C、ΨS、Wm、QSC）由P型半导体构成的实际MOS结构由N型半导体构成的实际MOS结构第9页，共29页，星期日，2025年，2月5日第8章MOS场效应晶体管的特性8.1MOSFET的结构和分类MOSFET与双极型晶体管的优缺点对比掌握场效应晶体管的分类MOS四种类型及各自特点、MOSFET的特征8.2MOSFET的特性曲线（2种曲线及分区）8.3MOSFET的阈值电压（