第章半导体存储器.pptVIP

7.3随机存取存储器（RAM）7.3.2RAM的结构和工作原理图7-18RAM存储矩阵1.RAM的结构存储矩阵也是由一些存储单元排列而成，是一个n行×m列矩阵列，它是存储器的主体。存储单元的数目称为存储器的容量。例如，一个容量为256×4（256个字，每个字4位）的存储器，共有1024个存储单元，这些单元可排成如图7-18所示的32行×32列的矩阵。第三十页，编辑于星期五：十九点四十九分。7.3随机存取存储器（RAM）7.3.2RAM的结构和工作原理2.地址译码器每片RAM由若干个字组成，每个字由若干位组成，通常信息的读写是以字为单位进行的。不同的字具有不同的地址，在进行读写操作时，可以按照地址选择欲访问的单元。地址的选择是通过地址译码器来实现的。在存储器中，通常将输入地址译码器分为行地址译码器和列地址译码器两部分，给定地址码后，行地址译码器输出线（即字线）中有一条有效，选中该行的存储单元，同时，列地址译码器输出线（即位线）中也有一条有效，选中一列或n列的存储单元，字线和位线的交叉点处的单元即被选中。第三十一页，编辑于星期五：十九点四十九分。7.3随机存取存储器（RAM）7.3.2RAM的结构和工作原理3.读/写与片选控制读/写控制电路的作用是对存储器的工作状态进行控制。在系统中，RAM一般由多片组成，系统每次读写时，只能选中其中的一片（或几片）进行读写，因此每片RAM均需有片选信号线，为片选输入端，低电平有效，为读/写控制信号。当=0时，RAM为正常工作状态，若=1，则执行读操作，存储单元里的数据将送到输入/输出端上；若=0，则执行写操作，加到输入/输出端上的数据将写入存储单元；当=1时，RAM的输入/输出端呈高阻状态，这时不能对RAM进行读/写操作。第三十二页，编辑于星期五：十九点四十九分。7.3随机存取存储器（RAM）7.3.3静态RAM（SRAM）1．SRAM的基本存储单元静态RAM的基本存储单元通常由6个MOS管组成，如图7-19所示。图中T1、T2为放大管，T3、T4为负载管，这4个MOS管共同组成一个双稳态触发器。若T1导通，则A点为低电平，这样T2截止，B点为高电平，又保证T1导通；与此类似，T1截止而T2导通时，又是另一种稳定状态。A点为高电平B点为低电平代表“1”，B点为高电平A点为低电平时代表“0”，这个双稳态触发器可以保存一位二进制数据。图中T5、T6为本单元控制管，由X地址译码线控制。T7和T8为一列基本存储单元的控制管，由Y地址译码线控制。显然，只有当X、Y地址译码线均为高电平时，T5、T6、T7和T8管都导通，该基本存储单元的输出才能通过T5、T6、T7和T8管和数据线接通。第三十三页，编辑于星期五：十九点四十九分。数字电子技术应用林敏主编科学出版社数字电子技术应用林敏主编科学出版社数字技术应用第一页，编辑于星期五：十九点四十九分。第七章半导体存储器第二页，编辑于星期五：十九点四十九分。7.1概述半导体存储器是一种能存储大量信息的器件，它是由许多存储单元组成的。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，而且能存储一位（或一组）二进制信息。存储器是能够存储大量二进制信息的半导体器件，如可以存放各种程序、数据和资料等。存储器是数字系统和计算机中不可缺少的组成部分，半导体存储器因具有容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等特点，在数字系统中应用很广泛。存储器的性能指标很多，例如存储容量、存取速度、封装形式、电源电压、功耗等，但就实际应用而言，最重要的性能指标是存储器的存储容量和存取时间。下面就这两项性能指标的具体情况予以说明第三页，编辑于星期五：十九点四十九分。7.1概述1．存储容量存储容量表示存储器存放二进制单元的多少，一般来说，存储容量就是存储单元的总数，一组二进制信息称为一个字，而一个字由若干位(Bit)组成，若一个存储器由N个字组成，每个字为M位，则存储器的容量为N×M，单位是二进制的位。例如一个存储单元有1K字，每个字的字长是4位，则该存储器的容量是4096位二进制单元。第四页，编辑于星期五：十九点四十九分。7.1概述2．存取速度存储器的存取速度可用“存取时间”和“存储周期”这两个时间参数来衡量。“存取时间”（AccessTime）是指从微处理器发出有效存储器地址从而启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间。很显然，存取时间越短，则存取速度越快。“存储周期”（memorycycle）是连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。由于存储器在完成读/写操作之后需要一段恢复时间，所以存储器的存储周期略大