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2025工艺整合招聘题目及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不属于光刻工艺的关键步骤？

A.涂胶

B.显影

C.蚀刻

D.曝光

答案：C

2.氧化工艺中，干氧氧化的特点是？

A.生长速率快

B.膜质好

C.温度低

D.成本低

答案：B

3.离子注入后通常需要进行？

A.氧化

B.退火

C.光刻

D.沉积

答案：B

4.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.去除杂质

B.形成薄膜

C.图形转移

D.表面处理

答案：B

5.衡量光刻分辨率的参数是？

A.景深

B.焦深

C.线宽

D.数值孔径

答案：C

6.湿法蚀刻和干法蚀刻相比，优点是？

A.各向异性好

B.选择性高

C.成本高

D.污染小

答案：B

7.以下哪种是常用的金属布线材料？

A.硅

B.铜

C.锗

D.砷

答案：B

8.扩散工艺的主要目的是？

A.改变材料表面性质

B.形成PN结

C.去除氧化层

D.提高表面平整度

答案：B

9.清洗工艺的主要作用是？

A.去除杂质和污染物

B.改变材料结构

C.提高材料导电性

D.增强材料硬度

答案：A

10.以下哪种不属于半导体制造中的衬底材料？

A.硅

B.蓝宝石

C.玻璃

D.锗

答案：C

多项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺的主要组成部分包括？

A.光刻胶

B.掩膜版

C.光刻机

D.显影液

答案：ABCD

2.氧化工艺的类型有？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.低压氧化

答案：ABC

3.离子注入的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.均匀性好

D.成本低

答案：ABC

4.化学气相沉积（CVD）的分类有？

A.常压CVD

B.低压CVD

C.等离子体增强CVD

D.金属有机CVD

答案：ABCD

5.蚀刻工艺的要求包括？

A.高选择性

B.各向异性

C.均匀性好

D.对衬底无损伤

答案：ABCD

6.常用的金属互连工艺有？

A.铝互连

B.铜互连

C.钨互连

D.金互连

答案：ABC

7.扩散工艺的影响因素有？

A.温度

B.时间

C.杂质源

D.气氛

答案：ABCD

8.清洗工艺中常用的清洗剂有？

A.硫酸

B.过氧化氢

C.氨水

D.盐酸

答案：ABCD

9.半导体制造中的平坦化技术有？

A.化学机械抛光

B.回蚀法

C.旋涂玻璃法

D.光刻胶回流法

答案：ABCD

10.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.产品性能

答案：ABCD

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺是半导体制造中图形转移的关键工艺。（）

答案：对

2.干氧氧化生长的氧化层比湿氧氧化生长的氧化层质量差。（）

答案：错

3.离子注入后不需要进行退火处理。（）

答案：错

4.化学气相沉积只能用于沉积绝缘层。（）

答案：错

5.湿法蚀刻的各向异性比干法蚀刻好。（）

答案：错

6.铜互连工艺比铝互连工艺更适合大规模集成电路。（）

答案：对

7.扩散工艺只能在高温下进行。（）

答案：错

8.清洗工艺对半导体制造的良率影响不大。（）

答案：错

9.化学机械抛光是一种全局平坦化技术。（）

答案：对

10.工艺整合只需要考虑工艺的先进性，不需要考虑成本。（）

答案：错

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

答案：光刻是利用光刻胶感光特性，通过光刻机将掩膜版图形投影到涂有光刻胶的晶圆上，经曝光、显影等使光刻胶形成与掩膜版对应的图形，为后续蚀刻等工艺做准备。

2.离子注入后为什么要进行退火处理？

答案：离子注入会损伤晶格。退火可修复晶格损伤，使注入离子激活并进入晶格替代位置，恢复半导体电学性能，还能消除注入产生的应力。

3.化学气相沉积（CVD）的优点有哪些？

答案：可精确控制薄膜成分和厚度，能在复杂形状表面沉积，沉积温度相对较低，薄膜均匀性和纯度好，可沉积多种材料的薄膜，适用于大规模生产。

4.清洗工艺在半导体制造中的重要性体现在哪里？

答案：半导体制造环境要求高洁净度。清洗可去除晶圆表面杂质、污染物和颗粒，防止其影响后续工艺和器件性能，提高器件良率和可靠性。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺中分辨率和景深的关系。

答案：分辨率和景深是光刻重要参数。一般分辨率提高，景深会减小。高分辨率光刻需短波长光源等，会使焦深变浅，景深变小。实际应用中要平衡两者，满足不同工艺对图形精度和聚焦范围的要求。

2.谈谈氧化工艺对半导体器件性能的影响。

答案：氧化工艺形成的氧化层可作绝缘层、掩蔽层等