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单片机参考源;有三个电压基准输入引脚,允许每个ADC和两个DAC使用外部电压基准或片内电压基准输出。
通过配置Vref模拟开关,ADC0还可以使用DAC0的输出作为内部基准,ADC1可以使用模拟电源电压作为基准。;内部电压基准电路由一个1.2V、15ppm/℃(典型值)的带隙电压基准发生器和一个两倍增益的输出缓冲放大器组成。
内部基准电压可以通过VREF引脚连到应用系统中的外部器件或电压基准输入引脚。;建议在VREF引脚与AGND之间接入0.1μF和4.7μF的旁路电容。;REF0CN:电压基准控制寄存器(见上页);REF0CN:电压基准控制寄存器;位1:BIASE:ADC/DAC偏压发生器使能位(使用ADC和DAC时该位必须为1)
0:内部偏压发生器关闭。
1:内部偏压发生器工作。
位0:REFBE:内部电压基准缓冲器使能位
0:内部电压基准缓冲器关闭。
1:内部电压基准缓冲器工作。内部电压基准提供从VREF引脚输出。;REF0CN中的BIASE位使能片内电压基准发生器,而REFBE位使能驱动VREF引脚的缓冲放大器。
当被禁止时,带隙基准和缓冲放大器消耗的电流小于1μA(典型值),缓冲放大器的输出进入高阻状态。
如果要使用内部带隙基准作为基准电压发生器,则BIASE和REFBE位必须被置‘1’。如果不使用内部基准,REFBE位可以被清‘0’。
注意:如果使用ADC或DAC,则不管电压基准取自片内还是片外,BIASE位必须被置为逻辑‘1’。如果既不使用ADC也不使用DAC,则这两位都应被清‘0’以节省功耗。;dlms(T);
XTAL1引脚内部接地。
1:内部偏压发生器工作。
//---------------------------------------------------------------------------
建议在VREF引脚与AGND之间接入0.
建议在VREF引脚与AGND之间接入0.
OSCXCN:外部振荡器控制寄存器
#defineUP0x010
{intj;
REF0CN中的TEMPE位用于使能和禁止温度传感器。
注意:如果使用ADC或DAC,则不管电压基准取自片内还是片外,BIASE位必须被置为逻辑‘1’。
0:ADC1电压基准取自VREF1引脚。;表10.1电压基准的电气特性;内部电压基准电路由一个1.2V、15ppm/℃(典型值)的带隙电压基准发生器和一个两倍增益的输出缓冲放大器组成。
内部基准电压可以通过VREF引脚连到应用系统中的外部器件或VREFA输入引脚。
注意:只有一个输入引脚。;0:禁止时钟丢失检测器。
位1-0:IFCN1-0:内部振荡器频率控制位
//配置程序
//---------------------------------------------------------------------------
#defineUP0x010
位2:TEMPE:温度传感器使能位
//延时程序
//---------------------------------------------------------------------------
0:内部温度传感器关闭。
while(count--!=0)
//---------------------------------------------------------------------------
通过配置VREF模拟开关,ADC0还可以使用DAC0的输出作为内部基准。
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建议在VREF引脚与AGND之间接入0.
1:内部振荡器频率按照IFCN位指定的速度运行。
dlms(T);
WDTCN=0xDE;//禁止看门狗
//C8051F的16位SFR定义
OSCXCN=0x67;//外部晶振,11.
1:ADC0电压基准取自DAC0输出。;通过配置VREF模拟开关,ADC0还可以使用DAC0的输出作为内部基准。
ADC1可以通过VREF多路开关使用模拟电源电压作为基准。;REF0CN:电压基准控制寄存器;表10.2电压基准的电气特性;例:DAC输出阶梯波,写DAC0H时,更新DAC0
//---------------------------------------------------------------------------
//DA
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