场效应晶体管及其应用.ppt

场效应晶体管及其应用第1页，共23页，星期日，2025年，2月5日第3章场效应晶体管及其应用(共6学时)学习目标:1．了解各种场效应晶体管的结构，掌握它们的转移特性、输出特性以及主要参数。2．掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法。3．掌握场效应晶体管共源极放大器、共漏极放大器（源极跟随器）的微变等效电路与主要性能参数。第2页，共23页，星期日，2025年，2月5日本章内容3.1场效应晶体管的基本特性（2学时）3.2共源极场效应晶体管放大电路（2学时）3.3源极输出器（2学时）小结第3页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性耗尽型绝缘栅场效应晶体管增强型绝缘栅场效应晶体管场效应晶体管结型场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管P沟道结型场效应晶体管N沟道结型场效应晶体管P沟道增强型绝缘栅场效应晶体管N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管第4页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.1结型场效应晶体管结型场效应管简称JFET，它是利用半导体内的电场效应来工作的，因而也称为体内场效应器件。结型场效应管有N沟道和P沟道两类。第5页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.1结型场效应晶体管第6页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.1结型场效应晶体管UGS(off)≤uDS≤0第7页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2绝缘栅型场效应晶体管第8页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2绝缘栅型场效应晶体管第9页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2绝缘栅型场效应晶体管第10页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2绝缘栅型场效应晶体管当uGS＞UGS(th)时第11页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1.3场效应晶体管的特性参数1.性能参数（1）开启电压UGS(th)是增强型MOS管特有的参数。它是指uDS为一固定值（如10V），使iD等于某一微小电流（如10μA）时所需要的最小uGS值。（2）夹断电压UGS(off)是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指uDS为一固定值（如10V），而使iD减小到某一微小电流（如10μA）时的uGS值。（3）饱和漏极电流IDSS是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指在uGS＝０时，使管子出现预夹断时的漏极电流。IDSS也是结型管所能输出的最大电流。（4）直流输入电阻RGS是指在漏、源极间短路的条件下，栅、源极之间所加直流电压与栅极直流电流的比值。一般JFET的RGS＞107Ω，而IGFET的RGS＞109Ω。第12页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1.3场效应晶体管的特性参数1.性能参数（5）低频跨导（互导）gm是指在uDS为某一定值时，漏极电流iD的微变量和引起它变化的uGS微变量的比值，即gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数（对应于三极管的β），单位为西门子（S），也常用mS或μS。场效应管的gm一般为几毫西门子。第13页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.1.3场效应晶体管的特性参数2.极限参数（1）最大漏极电流IDM是指管子在工作时允许的最大漏极电流。（2）最大耗散功率PDM最大耗散功率PDM＝uDS·iD，它受管子的最高工作温度的限制，与三极管的PCM相似。（3）漏源击穿电压U(BR)DS它是漏、源极间所能承受的最大电压，也就是使iD开始急剧上升（管子击穿）时的uDS值。（4）栅源击穿电压U(BR)GS它是栅、源极间所能承受的最大电压。击穿会造成短路现象，使管子损坏。第14页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.1电路结构第15页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.2直流静态工作点第16页，共23页，星期日，2025年，2月5日3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.3交流放大特性第17页，共23页，星期日，2025年，2月5日