探索ⅣB族金属氧化物HfO₂和ZrO₂薄膜：制备、表征与性能研究.docxVIP

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2025-11-07 发布于上海
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探索ⅣB族金属氧化物HfO?和ZrO?薄膜：制备、表征与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IntegratedCircuits，IC）的性能不断提升，其特征尺寸日益减小，现代集成电路已能够将数十亿个晶体管和其他电子组件集成在面积约1cm^2甚至更小的衬底上。在这一发展进程中，集成电路中的互连线材料以及绝缘栅介质材料面临着严峻的挑战。传统的互连线材料如铝互连线，虽在早期基本能满足集成电路互连线性能要求，像室温下铝导电率高（电阻率仅为2.65\mu\Omega\cdotcm），与n型、p型硅或多晶硅的欧姆接触电阻低（可低至10^{-