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2025工艺整合招聘题库及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.哪种工艺常用于去除硅片表面氧化层？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

2.以下哪种气体常用于化学气相沉积？

A.氧气

B.氮气

C.硅烷

D.氩气

3.光刻工艺的关键设备是？

A.光刻机

B.刻蚀机

C.清洗机

D.扩散炉

4.离子注入的目的是？

A.去除杂质

B.改变材料导电性

C.增加表面硬度

D.提高表面平整度

5.化学机械抛光主要用于？

A.去除光刻胶

B.平坦化晶圆表面

C.沉积金属层

D.刻蚀图形

6.下列哪种工艺不属于前端工艺？

A.氧化

B.金属互连

C.光刻

D.掺杂

7.湿法刻蚀的优点是？

A.各向异性好

B.刻蚀速率快

C.对设备要求高

D.图形精度高

8.扩散工艺中常用的杂质源是？

A.硼

B.铜

C.铝

D.金

9.物理气相沉积不包括以下哪种方法？

A.溅射

B.蒸发

C.化学气相沉积

D.离子镀

10.衡量光刻分辨率的指标是？

A.套刻精度

B.线条宽度

C.焦深

D.数值孔径

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中常用的检测技术有？

A.扫描电子显微镜

B.原子力显微镜

C.X射线衍射

D.椭偏仪

2.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.影响化学气相沉积质量的因素有？

A.气体流量

B.温度

C.压力

D.反应时间

4.以下属于后端工艺的有？

A.金属互连

B.钝化层沉积

C.光刻

D.掺杂

5.刻蚀工艺可分为？

A.湿法刻蚀

B.干法刻蚀

C.等离子刻蚀

D.反应离子刻蚀

6.离子注入工艺的参数包括？

A.离子能量

B.离子剂量

C.注入角度

D.注入时间

7.化学机械抛光的影响因素有？

A.抛光压力

B.抛光速度

C.抛光液成分

D.晶圆材质

8.扩散工艺的特点有？

A.杂质分布均匀

B.工艺简单

C.温度高

D.扩散速度快

9.物理气相沉积的优点有？

A.沉积速率快

B.膜层质量高

C.可精确控制膜厚

D.对环境要求低

10.工艺整合中常见的缺陷有？

A.颗粒污染

B.光刻缺陷

C.刻蚀缺陷

D.金属互连缺陷

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺的分辨率越高，可制造的芯片特征尺寸越小。（）

2.化学气相沉积只能沉积金属层。（）

3.湿法刻蚀比干法刻蚀的各向异性更好。（）

4.离子注入可以精确控制杂质的浓度和分布。（）

5.化学机械抛光可以完全消除晶圆表面的粗糙度。（）

6.扩散工艺是在低温下进行的。（）

7.物理气相沉积不需要化学反应。（）

8.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。（）

9.刻蚀工艺的目的是去除不需要的材料。（）

10.工艺整合的目标是将各个工艺步骤优化组合，提高芯片性能和良率。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻是利用光刻胶的感光特性，通过掩膜版将设计图形转移到晶圆表面光刻胶上。曝光后，光刻胶发生化学变化，显影去除部分光刻胶，使晶圆表面部分区域暴露，以便后续刻蚀等工艺。

2.化学气相沉积与物理气相沉积的主要区别是什么？

化学气相沉积通过化学反应在基底表面沉积薄膜，需反应气体和特定反应条件；物理气相沉积靠物理过程，如蒸发、溅射使材料沉积，无需化学反应，沉积速率和膜层特性也有差异。

3.离子注入工艺有哪些优缺点？

优点是能精确控制杂质浓度和分布、可低温操作；缺点是会造成晶格损伤，需后续退火修复，设备昂贵，成本较高。

4.工艺整合的重要性体现在哪些方面？

工艺整合可将各工艺步骤优化组合，确保芯片制造流程顺畅，提高芯片性能和良率，降低成本，缩短研发周期，增强产品市场竞争力。

讨论题（每题5分，共4题）

1.随着芯片特征尺寸不断缩小，光刻工艺面临哪些挑战？

随着芯片特征尺寸缩小，光刻分辨率要求提高，现有光刻技术接近极限，需研发新光刻技术；焦深变浅，套刻精度要求更高；光刻胶性能也需提升以适应更小尺寸图形转移。

2.如何提高化学机械抛光的质量和效率？

可优化抛光压力、速度和抛光液成分，根据不同晶圆材质调整工艺参数；采用先进抛光设备和监测系统，实时监控抛光过程，及时调整参数，提高质量和效率。

3.工艺整合过程中如何控制缺陷的产生？

需加强各工艺环节清洁管理，减少颗粒污染；优化光刻、刻蚀等工艺参数，降低光刻缺陷和刻蚀缺陷；对金属互连等关键工艺严格监控，确保工艺稳定性，控制缺陷产生。

4.未来工艺整合技术的发展趋势有哪些？

未来会朝着更小