2022年单片机原理与控制技术6.pptVIP

第7章80C51并行扩展技术;;§7-1?并行扩展概述

一、并行扩展连接方式

1、并行扩展总线组成

⑴数据传送:由数据总线DB（D0～D7）完成；

D0～D7由P0口提供

⑵单元寻址:由地址总线AB（A0～A15）完成；

低8位地址线A0～A7由P0口提供

高8位地址线A8～A15由P2口提供。

⑶交互握手:由控制总线CB完成。

控制线有PSEN、WR、RD、ALE、EA

2、并行扩展容量

可分别扩展64KBROM（包括片内ROM）和64KB外RAM。

;;⑤WR：输出，用于写外RAM选通，执行MOVX写指令时，

WR会自动有效，与外RAM写允许端WE连接。;二、并行扩展寻址方式

存储器片内存储单元子地址：

由与存储器地址线直接连接的地址线确定；

存储器芯片地址：

由高位地址线产生的片选信号确定。;执行MOVX指令，读选通由RD控制。

MOVX@DPTR,A;写数据

②PSEN：输出，用于外ROM读选通控制，与外ROM输出

如:2716(2K)/2764(8K)/27128(16K)/27256(32K)/27040(512K)……

②片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定E2PROM口地址。

因P0口传送数据是双向的，因此要扩展的数据总线驱动器也必须具有双向三态功能。

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D0D6

MOVR0,#30H;置内RAM数据存储区首址

低位地址线A0～A10实现片内寻址。

构成输入口时，接口芯片应具有三态缓冲和锁存功能。

低位地址线A0～A10实现片内寻址。

INCR0;指向下一存储单元

RD会自动有效，与外RAM读允许端OE连接。;;通过译码器将高位地址线转换为片选信号。;译码法的另一个优点是若译码器输出端留有剩余端线未用时，便于继续扩展存储器或I/O口接口电路。;①程序存储器EPROM的扩展：;§7-2并行扩展外ROM;②高位地址：视EPROM芯片容量大小。2764需5位，P2.0～P2.4与2764A8～A12相连；27128需6位，P2.0～P2.5与27128A8～A13相连。;二、扩展E2PROM(2816A,2817A,2864A等);①地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM的方式连接。

②片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定E2PROM口地址。

③将E2PROM用作外ROM时，80C51PSEN与E2PROMOE端相连。由80C51的PSEN控制E2PROM的读出(输出允许OE)。

④将E2PROM当作外RAM时，因需要对E2PROM进行在线擦写，因此80C51的WR与E2PROMWE端相连，此时应使用MOVX指令，且应注意E2PROM的地址范围与外RAM不能重复重迭，否则出错。;E2PROM用作外ROM时，

执行MOVC指令，读选通由PSEN控制；

E2PROM用作外RAM时，

执行MOVX指令，读选通由RD控制。

读E2PROM时，

速度与EPROM相当，完全能满足CPU要求。

写E2PROM时，

速度很慢，因此，不能将E2PROM当作一般RAM使用。每写入一个（页）字节，要延时10mS以上，使用时应予以注意。;【例7.1】试将E2PROM中以Addr为首址的32个存储单元改写为内RAM中以30H为首址的32字节的内容。解：编程如下：

WROMl：MOVR0,#30H;置源数据区首址

MOVDPTR,#Addr;置E2PROM擦写单元首址

LOP1：MOVA,@R0;取改写数据

MOVX@DPTR,A;改写

INCR0;修改源数据区地址

INCDPTR;修改写入单元地址

CJNER0,#40H,