电力电子仿真：直流-直流变换器仿真_（1）.电力电子基础理论.docxVIP

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电力电子基础理论

1.电力电子器件的基本特性

1.1二极管

二极管是一种基本的电力电子器件，具有单向导电的特性。当正向电压施加在二极管上时，它导通；当反向电压施加时，它截止。二极管的这些特性使其在电力电子电路中广泛应用，例如作为整流器、保护电路和箝位电路。

原理

二极管的基本原理是利用PN结的特性。PN结是由P型和N型半导体材料结合而成的。在正向偏置（即P型材料接正极，N型材料接负极）时，外加电压使多数载流子（空穴和电子）容易越过PN结，形成较大的正向电流。在反向偏置（即P型材料接负极，N型材料接正极）时，少数载流子需要克服较大的内建电场，因此反向电流非常小，几乎为零。

特性

正向特性：当正向电压超过二极管的开启电压（通常为0.6V到0.7V）时，二极管导通，正向电流急剧增加。

反向特性：当施加反向电压时，二极管几乎不导通，反向电流非常小。但当反向电压超过二极管的击穿电压时，反向电流会急剧增加，二极管可能损坏。

温度特性：二极管的正向压降和反向漏电流会随温度的变化而变化。温度升高时，正向压降降低，反向漏电流增加。

仿真示例

在电力电子仿真中，我们可以使用仿真软件（如MATLAB/Simulink）来模拟二极管的特性。以下是一个简单的二极管正向和反向特性的仿真示例。

%MATLAB/Simulink二极管特性仿真

%创建一个新的Simulink模型

new_system(Diode_Characteristics);

open_system(Diode_Characteristics);

%添加电源、二极管、负载和测量仪器

add_block(simulink/Sources/SineWave,Diode_Characteristics/SineWave);

add_block(simulink/ElectricalSources/DCVoltageSource,Diode_Characteristics/DCVoltageSource);

add_block(simulink/ElectricalElements/Diode,Diode_Characteristics/Diode);

add_block(simulink/ElectricalElements/Resistor,Diode_Characteristics/Resistor);

add_block(simulink/Sinks/Scope,Diode_Characteristics/Scope);

%设置电源参数

set_param(Diode_Characteristics/SineWave,Amplitude,10,Frequency,50,SampleTime,0.0001);

set_param(Diode_Characteristics/DCVoltageSource,Amplitude,5);

%设置电阻参数

set_param(Diode_Characteristics/Resistor,Resistance,100);

%连接电路

add_line(Diode_Characteristics,SineWave/1,Diode/1,autorouting,on);

add_line(Diode_Characteristics,Diode/2,Resistor/1,autorouting,on);

add_line(Diode_Characteristics,Resistor/2,SineWave/2,autorouting,on);

add_line(Diode_Characteristics,Diode/1,Scope/1,autorouting,on);

add_line(Diode_Characteristics,Diode/2,Scope/2,autorouting,on);

%设置仿真参数

set_param(Diode_Characteristics,StopTime,0.1,Solver,ode23t);

%运行仿真

sim(Diode_Characteristics);

%打开示波器查看结果

open_system(Diode_Characteristics/Scope);

1.2晶体管

晶体管是另一种重要的电力电子器件，具有放大和开关功能。常见的晶体管类型有双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），其中FET又分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（IGBT）。

原理

双极型晶体管（BJT）：BJT由三个半导体区域组成，分别称为发射区、基区和集电区。通过基极电流的控制，可以实现对集电极电流的放大。BJT分