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2025年模拟电子基础题库及答案

一、选择题

1.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于（）

A.温度

B.掺杂浓度

C.杂质类型

D.晶体结构

答案：B。在杂质半导体中，多子是由掺杂产生的，所以多子的浓度主要取决于掺杂浓度。温度对少子浓度影响较大，杂质类型决定多子是电子还是空穴，晶体结构主要影响半导体的基本特性但不是多子浓度的主要决定因素。

2.二极管正向偏置时，其正向电流是（）

A.多子扩散形成

B.少子漂移形成

C.多子漂移形成

D.少子扩散形成

答案：A。当二极管正向偏置时，外加电场削弱了内电场，使多子的扩散运动加剧，形成正向电流，所以正向电流是多子扩散形成的。少子漂移形成的是反向电流。

3.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B。三极管工作在放大区的条件是发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏使发射区的多子能够顺利扩散到基区，集电结反偏有利于把基区扩散过来的载流子收集到集电区，从而实现电流放大作用。

4.场效应管是一种（）控制型器件。

A.电压

B.电流

C.功率

D.电阻

答案：A。场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以是电压控制型器件。而三极管是电流控制型器件。

5.在共射放大电路中，输出电压与输入电压的相位关系是（）

A.同相

B.反相

C.相差90°

D.不确定

答案：B。在共射放大电路中，由于三极管的倒相作用，输出电压与输入电压的相位是反相的。

二、填空题

1.本征半导体中，自由电子浓度______空穴浓度。

答案：等于。本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体，在本征激发过程中，自由电子和空穴是成对产生的，所以自由电子浓度等于空穴浓度。

2.二极管的伏安特性曲线可分为______区、______区和______区。

答案：正向导通、反向截止、反向击穿。正向导通区是二极管正向偏置且电压达到一定值后电流迅速增大的区域；反向截止区是二极管反向偏置时电流极小的区域；反向击穿区是反向电压超过一定值后电流急剧增大的区域。

3.三极管的三个工作区域是______区、______区和______区。

答案：放大、饱和、截止。放大区用于实现信号的放大；饱和区中三极管的集电极和发射极相当于短路；截止区中三极管的集电极和发射极相当于开路。

4.场效应管分为______型和______型两大类。

答案：结型、绝缘栅型。结型场效应管是利用PN结的反向偏置来控制导电沟道的宽窄；绝缘栅型场效应管是利用绝缘层上的电压产生的电场效应来控制导电沟道。

5.放大电路的静态工作点是指输入信号为______时，三极管的______、______和______的值。

答案：零、基极电流$I_B$、集电极电流$I_C$、集射极电压$U_{CE}$。静态工作点是放大电路正常工作的基础，它决定了三极管的工作状态，当输入信号为零时，电路处于直流工作状态，此时三极管的基极电流、集电极电流和集射极电压的值就是静态工作点的值。

三、判断题

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，且其导电能力随温度升高而增强。（）

答案：正确。半导体的导电能力比导体弱，比绝缘体强。温度升高时，半导体中的本征激发加剧，载流子浓度增加，导电能力增强。

2.二极管加正向电压时一定导通。（）

答案：错误。二极管加正向电压时，只有当正向电压大于死区电压时，二极管才会导通。如果正向电压小于死区电压，二极管仍处于截止状态。

3.三极管只要发射结正偏就一定工作在放大区。（）

答案：错误。三极管工作在放大区不仅要求发射结正偏，还要求集电结反偏。如果集电结也正偏，三极管将工作在饱和区。

4.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。（）

答案：正确。场效应管是电压控制型器件，其输入电流极小，输入电阻很高，一般可达$10^7\Omega$以上；而三极管是电流控制型器件，输入电阻相对较低。

5.共集放大电路的电压放大倍数小于1，但接近1，且输出电压与输入电压同相。（）

答案：正确。共集放大电路具有电压跟随作用，电压放大倍数略小于1但接近1，输出电压与输入电压同相，同时具有输入电阻高、输出电阻低等特点。

四、简答题

1.简述二极管的单向导电性。

答案：二极管是由一个PN结构成的半导体器件。当二极管正向偏置时，即P区接电源正极，N区接电源负极，外加电场削弱了内电场，使多子的扩散运动加剧，形成较大的正向电流，此时二极管导通，呈现出较小的电阻。当二极管反向偏置时，即P区接电源负极，N区接电源正极，外加电场