电气运维员《电力电子实验（实践操作）》2024-2025学年春夏学期期末试卷及答案.docVIP

电气运维员《电力电子实验（实践操作）》2024-2025学年春夏学期期末试卷及答案

一、选择题（本大题总共15小题，每题2分，共30分）

1.在电力电子实验中，可控硅的导通条件是（）

A.阳极加正向电压，阴极加反向电压

B.阳极加反向电压，阴极加正向电压

C.阳极和阴极同时加正向电压

D.阳极和阴极同时加反向电压

答案：C

解析：可控硅导通的条件是阳极和阴极同时加正向电压，且门极有触发信号。

2.以下哪种电力电子器件属于半控型器件（）

A.晶闸管

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力场效应晶体管

D.可关断晶闸管

答案：A

解析：晶闸管属于半控型器件，其导通后不能通过门极信号使其关断。

3.单相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角α增大时，输出电压Ud（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：单相桥式全控整流电路电阻性负载时，Ud=0.9U2cosα，α增大，cosα减小，Ud减小。

4.三相半波可控整流电路，电阻性负载，晶闸管承受的最大反向电压为（）

A.√2U2

B.√3U2

C.2√2U2

D.2√3U2

答案：B

解析：三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为变压器二次线电压的峰值，即√3U2。

5.电力电子装置中常用的过电压保护措施不包括（）

A.阻容吸收

B.压敏电阻

C.快速熔断器

D.避雷器

答案：C

解析：快速熔断器主要用于过电流保护，而非过电压保护。

6.绝缘栅双极晶体管的英文缩写是（）

A.GTO

B.GTR

C.IGBT

D.MOSFET

答案：C

解析：绝缘栅双极晶体管英文缩写为IGBT。

7.直流斩波电路中，降压斩波电路的输出电压平均值Ud与输入电压Uin的关系是（）

A.Ud＞Uin

B.Ud＜Uin

C.Ud=Uin

D.不确定

答案：B

解析：降压斩波电路输出电压平均值Ud=αUin，α＜1，所以Ud＜Uin。

......

8.电力电子电路的功率因数总是（）

A.大于1

B.等于1

C.小于1

D.不确定

答案：C

解析：电力电子电路中存在谐波等因素，使得功率因数总是小于1。

9.三相桥式全控整流电路，电感性负载，当控制角α增大时，输出电压Ud（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：三相桥式全控整流电路电感性负载时，Ud=2.34U2cosα，α增大，cosα减小，Ud减小。

10.晶闸管触发电路中，若要改变触发脉冲的宽度，可调节（）

A.控制电压

B.脉冲变压器变比

C.电阻

D.电容

答案：D

解析：通过调节电容可以改变触发脉冲的宽度。

11.以下哪种电路可实现有源逆变（）

A.单相半波可控整流电路

B.单相桥式全控整流电路

C.三相半波可控整流电路

D.三相桥式全控整流电路

答案：D

解析：三相桥式全控整流电路在一定条件下可实现有源逆变。

12.电力电子装置中，抑制电流上升率di/dt的元件是（）

A.平波电抗器

B.滤波电容

C.电阻

D.电感

答案：A

解析：平波电抗器可抑制电流上升率di/dt。

13.单相半控桥式整流电路，电阻性负载，晶闸管承受的最大正向电压为（）

A.√2U2

B.√3U2

C.2√2U2

D.2√3U2

答案：A

解析：单相半控桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压为变压器二次电压的峰值，即√2U2。

14.电力电子技术主要研究（）之间的变换。

A.直流电能和交流电能

B.直流电能和直流电能

C.交流电能和交流电能

D.以上都是

答案：D

解析：电力电子技术主要研究直流电能和交流电能、直流电能和直流电能、交流电能和交流电能之间的变换。

15.电力电子器件工作时所承受的实际电压和电流要（）其额定值。

A.大于

B.小于

C.等于

D.小于等于

答案：D

解析：电力电子器件工作时所承受的实际电压和电流要小于等于其额定值，以保证器件正常工作。

二、填空题（本大题总共5题，每题4分，共20分）

1.电力电子器件按能够被控制电路信号所控制的程度可分为______、______和______三类。

答案：半控型器件、全控型器件、不可控器件

解析：这是电力电子器件的基本分类方式。

2.单相桥式全控整流电路，电阻性负载，当α=0°时，输出电压Ud=______。

答案：0.9U2

解析：根据单相桥式全控整流电路电阻性负载的输出电压公式Ud=0.9U2cosα，α=0°时，cosα=1，所以Ud=0.9U2。

3.三相桥式全控整流电路，电感性负载，为了使晶闸管可靠导通，需